FQB10N20L 是一款 N 溝道增強型功率 MOSFET,采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計,具有低導(dǎo)通電阻和高開關(guān)速度的特點。該器件適用于多種電源管理應(yīng)用場合,如 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等。其額定電壓為 200V,持續(xù)漏極電流可達(dá) 10A,能夠滿足中高壓應(yīng)用場景的需求。
該 MOSFET 具有良好的熱性能和電氣特性,同時封裝形式緊湊,便于在有限空間內(nèi)實現(xiàn)高效能設(shè)計。
最大漏源電壓:200V
最大漏極電流:10A
柵極閾值電壓:2.5V~4.5V
導(dǎo)通電阻(典型值):350mΩ
總功耗:17W
工作溫度范圍:-55℃~+150℃
封裝形式:TO-252
FQB10N20L 的主要特性包括:
1. 高耐壓能力,支持高達(dá) 200V 的漏源電壓;
2. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于減少導(dǎo)通損耗并提高效率;
3. 快速開關(guān)性能,可降低開關(guān)損耗,提升高頻應(yīng)用表現(xiàn);
4. 柵極電荷較小,從而降低驅(qū)動功耗;
5. 支持高結(jié)溫操作,適應(yīng)惡劣環(huán)境下的長期穩(wěn)定運行;
6. 小型化封裝設(shè)計,節(jié)省 PCB 空間;
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且無鉛焊接兼容。
FQB10N20L 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器;
2. 電機驅(qū)動電路中的功率控制;
3. 各類負(fù)載開關(guān)和保護(hù)電路;
4. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電子開關(guān);
5. LED 驅(qū)動和照明系統(tǒng);
6. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的充放電控制;
7. 家用電器及消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊。
FQP10N20C
FDP10N20
IRFZ24N