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FQB10N20C 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 8:59:33 查看 閱讀�29

FQB10N20C 是一� N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET�,屬� Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)的 FQ 系列。該器件采用 TO-252 封裝,適用于各種�(kāi)�(guān)和功率管理應(yīng)用。其�(shè)�(jì)旨在提供低導(dǎo)通電阻和高效�,同�(shí)保持良好的開(kāi)�(guān)性能�
  這款 MOSFET 的最大漏源電壓為 200V,連續(xù)漏極電流高達(dá) 10A,非常適合用于電源開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)�、DC-DC �(zhuǎn)換器以及�(fù)載切換等�(chǎng)景�

參數(shù)

最大漏源電壓:200V
  最大柵源電壓:±20V
  連續(xù)漏極電流�10A
  脈沖漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):1.4Ω(在 Vgs=10V �(shí)�
  總功耗:1.3W
  工作溫度范圍�-55� � +150�
  封裝形式:TO-252

特�

FQB10N20C 提供了以下主要特性:
  1. 高擊穿電壓:額定 200V,確保在高壓�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)行�
  2. 低導(dǎo)通電阻:� Vgs=10V �(shí),Rds(on) 僅為 1.4Ω,有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
  3. 快速開(kāi)�(guān)能力:具有較低的輸入電容和輸出電�,從而減少開(kāi)�(guān)�(shí)間及相關(guān)的能量損失�
  4. 增強(qiáng)的熱�(wěn)定性:能夠� -55� � +150� 的寬溫度范圍�(nèi)可靠工作�
  5. 小型化封裝:TO-252 封裝使其適合于空間受限的�(yīng)用環(huán)境�
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn):環(huán)保且滿足�(xiàn)代電子制造的要求�

�(yīng)�

FQB10N20C 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS)中的功率開(kāi)�(guān)元件�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中作為主�(kāi)�(guān)或同步整流器使用�
  3. 電機(jī)控制電路中的�(qū)�(dòng)器和保護(hù)元件�
  4. 各類(lèi)�(fù)載切換和保護(hù)電路�
  5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)與管��
  6. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的繼電器替代方案�
  7. 家用電器和消�(fèi)電子�(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換模��

替代型號(hào)

FQP10N20C, IRFZ44N, STP10NK50Z

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