FQA27N25是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生�(chǎn)的N溝道功率MOSFET。該器件采用TO-220封裝形式,適用于高效率開�(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動以及負(fù)載開�(guān)等應(yīng)用場��
該MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開�(guān)速度,可以有效降低功率損耗,提高系統(tǒng)效率。此�,其具備出色的雪崩能�,能夠在異常情況下提供額外保�(hù)�
最大漏源電壓:250V
連續(xù)漏極電流�16A
�(dǎo)通電阻:0.24Ω
柵極電荷�38nC
總電容:430pF
功耗:190W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
FQA27N25采用了先�(jìn)的DMOS制造工藝,確保了其具備以下特點�
1. 極低的導(dǎo)通電阻Rds(on),從而減少了�(dǎo)通狀�(tài)下的功耗損��
2. 高速開�(guān)性能,有助于減少開關(guān)損耗并提升工作效率�
3. �(yōu)異的熱穩(wěn)定�,使其在高溫�(huán)境下依然能夠可靠運行�
4. 強大的雪崩擊穿能量處理能�,增強了器件的耐用性和抗過載能力�
5. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),滿足環(huán)保要��
這款功率MOSFET非常適合于各種需要高效功率轉(zhuǎn)換的�(yīng)用場�,例如:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開�(guān)或同步整流管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中作為高頻開�(guān)元件�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
4. 各種工業(yè)控制�(shè)備中的負(fù)載切��
5. 汽車電子�(lǐng)域中的繼電器替代方案�
FQA27N25憑借其卓越的電氣特性和可靠�,成為這些�(yīng)用的理想選擇�
FQP27N25,
STP27NF06L,
IRFZ44N,
IXTH27N10T2