FP6121-HS6GTR 是一款高性能� N 灃道�(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET),�(zhuān)為高效率�(kāi)�(guān)�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的制造工藝,能夠提供低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)�(guān)性能,適用于各種功率�(zhuǎn)換和電源管理�(chǎng)��
這款 MOSFET 具有極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低傳�(dǎo)損�,同�(shí)其優(yōu)化的柵極電荷�(shè)�(jì)有助于提高系�(tǒng)的整體效率。FP6121-HS6GTR 還具備出色的熱性能和可靠�,使其能夠在�(yán)苛的工作�(huán)境下保持�(wěn)定運(yùn)��
�(lèi)型:N-channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�121A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�1.3mΩ(在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷(Qg)�75nC
總電�(Ciss)�4450pF
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
FP6121-HS6GTR 的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開(kāi)�(guān)能力,得益于其較低的柵極電荷(Qg),適合高頻�(yīng)��
3. 高電流處理能�,最大連續(xù)漏極電流可達(dá) 121A�
4. 寬工作溫度范圍(-55°C � +175°C),適用于多種環(huán)境條��
5. 高可靠性和�(wěn)定性,能夠承受瞬態(tài)電壓和電流沖��
6. 小型封裝�(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,便于布局和散熱管理�
7. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且適合�(zhǎng)期使��
FP6121-HS6GTR 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的主�(kāi)�(guān)或同步整流器�
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率�(kāi)�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率�(jí)控制�
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的保�(hù)和切換功��
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)�(guān)和保�(hù)電路�
6. LED �(qū)�(dòng)器中的電流調(diào)節(jié)和功率管理�
7. 可再生能源系�(tǒng)(如太陽(yáng)能逆變器)中的功率�(zhuǎn)換模��
8. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的大電流開(kāi)�(guān)和保�(hù)裝置�
FP6121H, IRF6121, FDP6121P