FP6121-FS6PTR是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效�、高頻功率開關器�,專為需要高功率密度和低損耗的應用設計。該器件采用增強型GaN FET技�,具有極低的導通電阻和快速開關特�,適用于各種電源轉換應用,如DC-DC轉換器、AC-DC適配�、無線充電器��
最大漏源電壓:100V
連續(xù)漏極電流�3.7A
導通電阻:50mΩ
柵極電荷�4nC
反向恢復時間:無(由于是GaN器件�
工作結溫范圍�-55℃至+150�
FP6121-FS6PTR采用先進的GaN技�,與傳統(tǒng)的硅MOSFET相比,其開關速度更快,效率更�,能夠顯著減少開關損��
此外,它還具有更高的功率密度,能夠在更小的空間內(nèi)提供更高的輸出功�,非常適合緊湊型設計需求�
GaN材料的使用使得器件在高溫下的性能更加�(wěn)�,同時減少了熱管理系�(tǒng)的復雜��
由于沒有反向恢復電荷,該器件在高頻應用中表現(xiàn)出色,適合硬開關和軟開關拓撲結構�
封裝形式為表面貼裝(SMD�,便于自動化生產(chǎn)和焊接�
FP6121-FS6PTR廣泛應用于消費電子領域中的高效能電源解決方案,包括但不限于:
1. 快速充電器
2. 筆記本電腦適配器
3. 電動工具驅動電路
4. �(shù)�(jù)中心電源模塊
5. LED驅動�
6. 無線電力傳輸設備
其高效的功率轉換能力使其成為對能效要求較高的應用的理想選��
FP6121-GA, FPS6121-FS6