FP50R12W2T7_B11 時(shí)間：2025/5/22 1:15:52 閱讀：4

FP50R12W2T7_B11 是一款高性能的 MOSFET 功率晶體管，屬于 Fairchild（現(xiàn)為 ON Semiconductor）生產(chǎn)的 PowerTrench 系列。該器件采用 N 溝道增強(qiáng)型技術(shù)，廣泛應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和負(fù)載切換等場(chǎng)景。其封裝形式為 TO-263 (DPAK)，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的電流承載能力，適合高效率功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。

參數(shù)

最大漏源電壓：12V
　　連續(xù)漏極電流：50A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：2.4mΩ
　　柵極電荷：39nC
　　輸入電容：1880pF
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +175℃
　　封裝類(lèi)型：TO-263 (DPAK)

特性

FP50R12W2T7_B11 的主要特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)性能。
　　1. 低導(dǎo)通電阻（2.4mΩ 典型值）可顯著降低傳導(dǎo)損耗，提升系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)特性使其適用于高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用，減少開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 高電流能力（高達(dá) 50A）使其能夠承受大負(fù)載條件。
　　4. 工作結(jié)溫范圍寬廣（-55℃ 至 +175℃），適應(yīng)各種極端環(huán)境。
　　5. 封裝形式為 DPAK，具備良好的散熱性能和易于安裝的特點(diǎn)。
　　6. 內(nèi)部采用了先進(jìn)的溝槽式 MOSFET 技術(shù)，確保了卓越的電氣性能和可靠性。

應(yīng)用

FP50R12W2T7_B11 廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)景：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）設(shè)計(jì)中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)元件。
　　2. DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流或主開(kāi)關(guān)。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率開(kāi)關(guān)，用于控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和速度調(diào)節(jié)。
　　4. 電池管理系統(tǒng)中的負(fù)載切換開(kāi)關(guān)。
　　5. 逆變器和 UPS 系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
　　6. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單元。
　　7. 汽車(chē)電子中的大電流負(fù)載驅(qū)動(dòng)，如電動(dòng)座椅、車(chē)窗升降器等。