FODM3083R2 是一種基� GaN(氮化鎵)技術的增強型功率晶體管。它專為高頻、高效能開關應用而設�,能夠顯著提高功率轉(zhuǎn)換系�(tǒng)的效率和功率密度�
該器件采用標準表面貼裝封裝形�,便于集成到�(xiàn)代電源管理系�(tǒng)中。其主要特點是低導通電�、快速開關速度以及高擊穿電�,非常適合用� DC-DC �(zhuǎn)換器、逆變�、無線充電設備以及其他需要高性能功率處理的應用場��
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻:150mΩ
柵極閾值電壓:2.5V
工作結溫范圍�-55� � +175�
輸出電容�15pF
反向恢復時間:無(由于是 GaN 技術)
FODM3083R2 的核心優(yōu)勢在于其使用了先進的氮化鎵材�,這使其具備以下特點:
1. 極低的導通電阻(150mΩ�,有效降低傳導損��
2. 高速開關性能,支� MHz 級別的開關頻率,從而實�(xiàn)更小的磁性元件設��
3. 零反向恢復電荷特�,進一步減少了開關過程中的能量損失�
4. 小尺寸封�,有助于提高功率密度�
5. 支持寬溫度范圍操�,適用于工業(yè)及汽車級應用�(huán)境�
6. 具備短路保護能力,提高了系統(tǒng)可靠��
FODM3083R2 廣泛應用于各種高效率、高功率密度的需求場�,包括但不限于:
1. 開關模式電源(SMPS�,如 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 太陽能微型逆變器和儲能系統(tǒng)�
3. 電動汽車(EV)車載充電器和牽引逆變��
4. �(shù)�(jù)中心服務器電��
5. 快速充電適配器和無線充電設備�
6. 工業(yè)電機�(qū)動和機器人控制電源模��
FODM3080R2, FODM3090R2