FNB51560TD1是一款高性能的N溝道增強(qiáng)型MOSFET,采用TO-263-3封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻(Rds(on))和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于多種功率�(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)�(dòng)�(yīng)用。其額定電壓�60V,能夠承受較高的電流�(fù)載,并在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的性能�
最大漏源電壓:60V
連續(xù)漏極電流�45A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.8mΩ(典型��25°C�
柵極電荷�79nC
輸入電容�3350pF
總耗散功率�150W
工作�(jié)溫范圍:-55°C�+175°C
FNB51560TD1具備低導(dǎo)通電�,可有效降低傳導(dǎo)損�,提升系�(tǒng)效率�
其高電流處理能力使其非常適合用于大功率應(yīng)用�
快速開�(guān)特性和低柵極電荷有助于減少開關(guān)損�,提高高頻運(yùn)行時(shí)的效��
該器件還具有出色的熱�(wěn)定性和可靠性,能夠在極端溫度條件下持續(xù)�(yùn)��
此外,它具有較低的反向恢�(fù)電荷(Qrr�,這�(jìn)一步增�(qiáng)了其在硬開關(guān)�(yīng)用中的表�(xiàn)�
FNB51560TD1廣泛�(yīng)用于DC-DC�(zhuǎn)換器、同步整流電路、開�(guān)電源(SMPS�、電�(dòng)工具、工�(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和汽車電子系�(tǒng)�。由于其�(yōu)異的性能和耐用�,它也適合于需要高效率和高可靠性的�(chǎng)�,如太陽(yáng)能逆變器和電動(dòng)車充電設(shè)備�
FDP5150, IRF540N, FQN20N60C