FNB51060T1 是一款由 Fairchild(現(xiàn)� ON Semiconductor)生�(chǎn)的高壓功� MOSFET,采� N 溝道增強(qiáng)型設(shè)�(jì)。該器件適用于需要高效率和快速開�(guān)的應(yīng)用場(chǎng)�,例如開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、DC-DC �(zhuǎn)換器和負(fù)載切換等。其封裝形式� TO-220,具有出色的熱性能和電氣性能�
該芯片通過�(yōu)化的單元�(jié)�(gòu)和工藝技�(shù),在�(dǎo)通電阻、開�(guān)速度以及耐壓能力之間取得了良好的平衡,使其成為許多功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的理想選擇�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�10A
�(dǎo)通電阻:0.35Ω
柵極電荷�45nC
輸入電容�1300pF
反向傳輸電容�350pF
功耗:15W
工作�(jié)溫范圍:-55� � 150�
FNB51060T1 的主要特性包括以下幾�(diǎn)�
1. 高擊穿電� (600V),適合多種高壓應(yīng)用場(chǎng)景�
2. 較低的導(dǎo)通電� (Rds(on)),在 10A 的條件下僅為 0.35Ω,從而減少傳�(dǎo)損耗并提高系統(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)性能,具備較小的柵極電荷 (45nC) 和反向恢�(fù)電荷,有助于降低開關(guān)損耗�
4. 極高的雪崩能量能�,增�(qiáng)了器件在異常條件下的魯棒��
5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),支持環(huán)保要��
6. 熱穩(wěn)定性良�,能夠在寬溫度范圍內(nèi)可靠�(yùn)� (-55� � +150�)�
7. 封裝形式為標(biāo)�(zhǔn) TO-220,便于安裝和散熱�(shè)�(jì)�
FNB51060T1 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的主開�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)元件�
3. 各類電機(jī)�(qū)�(dòng)電路,如步�(jìn)電機(jī)、直流無刷電�(jī)控制�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)功能�
5. 充電�、逆變器和其他電力電子�(shè)備中的關(guān)鍵功率轉(zhuǎn)換組��
6. 太陽(yáng)能微逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(chǎn)��
FDP51060T1, IRF540N, STP10NK60Z