時間：2025/5/23 2:54:43
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FN31N562J500PXG是一款高性能的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），適用于高功率和高頻開關(guān)應(yīng)用。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)速度和出色的熱性能。
該型號屬于N溝道增強型MOSFET，廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域。其設(shè)計優(yōu)化了效率和可靠性，能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和小型化的需求。
最大漏源電壓：560V
連續(xù)漏極電流：31A
導(dǎo)通電阻：50mΩ
柵極電荷：140nC
開關(guān)時間：開通延遲時間180ns，關(guān)斷傳播時間75ns
工作結(jié)溫范圍：-55℃至175℃
1. 高耐壓能力，適合高壓工業(yè)應(yīng)用。
2. 極低的導(dǎo)通電阻，減少功率損耗。
3. 快速的開關(guān)速度，支持高頻操作。
4. 良好的熱穩(wěn)定性和抗雪崩能力，提高系統(tǒng)可靠性。
5. 小封裝設(shè)計，節(jié)省PCB空間。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
1. 開關(guān)電源（SMPS）
2. 電機控制與驅(qū)動
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器
4. 太陽能逆變器
5. 電動汽車中的電池管理系統(tǒng)（BMS）
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊
IRFP250N, STW120N5, FDP18N65C4
