FN21X181K500PXG是一款高性能的MOSFET功率晶體管,主要用于開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用了先進的制造工藝,具有低導通電阻、高擊穿電壓和快速開關(guān)速度等特性,適用于多種工業(yè)和消費電子領(lǐng)域。
型號:FN21X181K500PXG
類型:N-Channel MOSFET
封裝:TO-247
最大漏源電壓(V_DS):1800V
最大柵源電壓(V_GS):±20V
連續(xù)漏極電流(I_D):50A
脈沖漏極電流(I_PULSE):100A
導通電阻(R_DS(on)):0.05Ω
總功耗(P_TOT):300W
工作結(jié)溫范圍(T_J):-55°C 至 +175°C
FN21X181K500PXG具備以下主要特性:
1. 高擊穿電壓(1800V),適合高壓環(huán)境下的應(yīng)用。
2. 低導通電阻(0.05Ω),降低導通損耗,提高效率。
3. 快速開關(guān)性能,能夠支持高頻開關(guān)應(yīng)用。
4. 強大的電流處理能力(50A連續(xù),100A脈沖),滿足大功率需求。
5. 寬溫度范圍(-55°C至+175°C),適應(yīng)惡劣的工作條件。
6. 具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性,適用于長時間運行的應(yīng)用場景。
7. 符合RoHS標準,環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代設(shè)計中。
該MOSFET廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),如AC-DC適配器和工業(yè)電源。
2. 電機驅(qū)動和控制,包括家用電器和工業(yè)設(shè)備中的電機控制。
3. 逆變器系統(tǒng),例如太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)。
4. 能量存儲系統(tǒng)和電池管理。
5. 各種需要高壓開關(guān)和功率轉(zhuǎn)換的工業(yè)和消費類電子產(chǎn)品。
FN21X181K450PXG, IRFP260N, STP100NF18