時間：2025/5/24 19:29:27
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FN21N1R5C500PAG 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術(shù)的高效功率晶體管，屬于增強(qiáng)型場效應(yīng)晶體管 (e-mode HEMT) 類型。該器件專為高頻開關(guān)應(yīng)用設(shè)計，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和無線充電設(shè)備等領(lǐng)域。其低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)性能使其成為傳統(tǒng)硅基 MOSFET 的理想替代方案。
該芯片采用了先進(jìn)的封裝技術(shù)，具備高可靠性和散熱性能，同時支持表面貼裝工藝 (SMD)，便于大規(guī)模生產(chǎn)。FN21N1R5C500PAG 在工作頻率、效率和熱管理方面表現(xiàn)出色，是現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中不可或缺的核心元件。
最大漏源電壓：650V
連續(xù)漏極電流：21A
導(dǎo)通電阻：1.5mΩ
柵極電荷：95nC
輸入電容：1480pF
反向恢復(fù)時間：無（GaN 器件固有特性）
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝形式：PAG
1. 高擊穿電壓（650V），適合高壓應(yīng)用場景。
2. 極低的導(dǎo)通電阻（1.5mΩ），可顯著降低傳導(dǎo)損耗。
3. 快速開關(guān)性能，支持高達(dá) 2MHz 的開關(guān)頻率。
4. 內(nèi)置零反向恢復(fù)特性，進(jìn)一步減少開關(guān)損耗。
5. 熱穩(wěn)定性強(qiáng)，能夠在極端溫度條件下可靠運(yùn)行。
6. 小尺寸封裝，節(jié)省 PCB 布局空間。
7. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且安全。
1. 高效 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 開關(guān)模式電源 (SMPS)。
3. 圖騰柱 PFC 電路。
4. 無線充電發(fā)射端及接收端。
5. 電動工具及家用電器中的電機(jī)驅(qū)動。
6. 新能源汽車充電樁中的功率模塊。
7. 光伏逆變器及其他可再生能源相關(guān)設(shè)備。
GAN021-650WSA
GAN21-E065W
STGAP100B
