FN21N121J500PAG 是一� N 溝道增強� MOSFET(金屬氧化物半導體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動、負載開�(guān)和其他功率電子設(shè)備中。該器件采用先進的制造工�,具有低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于需要高效能和低損耗的電路�(shè)��
這款 MOSFET 的封裝形式為標準的表面貼裝類�,確保了良好的散熱性能和可靠性,同時便于自動化生�(chǎn)和組��
最大漏源電壓:120V
持續(xù)漏極電流�43A
導通電阻:1.5mΩ
柵極電荷�96nC
總電容:3000pF
工作溫度范圍�-55� � +175�
FN21N121J500PAG 具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電� (Rds(on)),在典型條件下僅� 1.5mΩ,能夠有效減少功率損��
2. 高效率的開關(guān)性能,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
3. 提供較高的瞬�(tài)熱阻抗能力,確保長期�(wěn)定運��
4. 支持高漏極電流處理能�,峰值可� 43A�
5. �(nèi)� ESD 保護機制,提高了整體系統(tǒng)的可靠��
6. 寬廣的工作溫度范� (-55°C � +175°C),適�(yīng)各種極端�(huán)境下的使用需��
該型號的 MOSFET 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) � DC/DC �(zhuǎn)換器中的功率級開�(guān)�
2. 電動汽車及混合動力汽車中的電池管理系�(tǒng) (BMS) 和逆變��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機驅(qū)動與控制�
4. 太陽能逆變器以及其他可再生能源系統(tǒng)中的功率�(zhuǎn)換模��
5. 電信�(shè)備中的負載切換和保護電路�
6. 各種消費類電子產(chǎn)品中的高效能電源管理單元�
IRF2110, FDP21N120, STW21N120K5