FN18X154K160PSG是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)生產(chǎn)的高壓功率MOSFET,采用N溝道增強型技術(shù)。該器件主要應(yīng)用于高電壓和大電流場景,如開關(guān)電源、電機驅(qū)動、DC-DC轉(zhuǎn)換器以及逆變器等。其設(shè)計注重低導(dǎo)通電阻和高效率,從而降低功耗并提升系統(tǒng)性能。
該芯片的封裝形式為PQFN5*6,具有良好的散熱特性和緊湊的尺寸,非常適合對空間有限制的設(shè)計。
最大漏源電壓:800V
連續(xù)漏極電流:7.2A
導(dǎo)通電阻(典型值):0.9Ω
柵極電荷:32nC
輸入電容:1050pF
工作結(jié)溫范圍:-55℃至+150℃
1. 高耐壓能力,適用于各種高壓應(yīng)用場景。
2. 超低導(dǎo)通電阻,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。
3. 快速開關(guān)速度,有效降低開關(guān)損耗。
4. 極低的柵極電荷和輸出電荷,支持高頻操作。
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且可靠。
6. 緊湊型PQFN封裝,提供卓越的熱性能和電氣性能。
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)元件。
2. 工業(yè)電機驅(qū)動電路中的功率級元件。
3. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的同步整流或降壓/升壓開關(guān)。
4. 用于光伏逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
5. 各類負載切換和保護電路。
6. 汽車電子中涉及高電壓控制的應(yīng)用場景。
IRFP460, STP12NM60, FDP18N80A