FN18N3R0C500PSG是一種高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),主要用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的溝槽式工藝技術(shù),能夠提供較低的導(dǎo)通電阻和快速的開(kāi)關(guān)速度,從而減少能量損耗并提高系統(tǒng)性能。
該型號(hào)屬于高壓功率MOSFET系列,適用于各種工業(yè)、消費(fèi)類及汽車電子領(lǐng)域。
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流:18A
導(dǎo)通電阻:3mΩ
柵極電荷:15nC
總功耗:250W
工作溫度范圍:-55℃ 至 175℃
封裝形式:TO-247
FN18N3R0C500PSG具有以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻,有助于降低傳導(dǎo)損耗。
2. 快速開(kāi)關(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)境。
3. 高雪崩能量能力,增強(qiáng)了器件在異常情況下的魯棒性。
4. 熱穩(wěn)定性好,能夠在寬溫范圍內(nèi)可靠運(yùn)行。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且支持無(wú)鉛焊接工藝。
6. 內(nèi)部集成ESD保護(hù)電路,提高了抗靜電能力。
該芯片廣泛應(yīng)用于以下場(chǎng)景:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器的主開(kāi)關(guān)或續(xù)流二極管替代。
3. 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)元件。
4. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
5. 太陽(yáng)能逆變器內(nèi)的功率轉(zhuǎn)換模塊。
6. 各種工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率調(diào)節(jié)單元。
IRF3205
FDP18N06L
STP18NF06