最大漏源電壓(Vds)：18V
　　最大柵源電壓(Vgs)：±20V
　　連續(xù)漏極電流(Id)：76A
　　導(dǎo)通電阻(Rds(on))：3.3mΩ
　　柵極電荷(Qg)：94nC
　　輸入電容(Ciss)：4200pF
　　總功耗(Ptot)：220W
　　結(jié)溫范圍(Tj)：-55°C 至 175°C

FN18N332J500PBG 具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻 Rds(on)，有助于降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)效率。
　　2. 快速開(kāi)關(guān)能力，適合高頻功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。
　　3. 高雪崩能量能力，增強(qiáng)了器件在異常工作條件下的可靠性。
　　4. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，采用無(wú)鉛封裝工藝。
　　5. 提供強(qiáng)大的散熱性能，支持高功率密度設(shè)計(jì)。
　　6. 緊湊的封裝設(shè)計(jì)節(jié)省了 PCB 空間。

該功率 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. DC-DC 轉(zhuǎn)換器和同步整流電路。
　　2. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的功率級(jí)元件。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和逆變器模塊。
　　4. 電池管理系統(tǒng)（BMS）中的充放電控制。
　　5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率控制單元。
　　6. 電信設(shè)備和服務(wù)器電源中的高效功率轉(zhuǎn)換解決方案。

IRF3710, FDP18N10C, STP17NF06L