FN15X332K250PNG是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,廣泛應(yīng)用于高頻和高效能電源�(zhuǎn)換領(lǐng)域。該器件具有極低的導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和高擊穿電壓,適合于需要高性能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)��
FN15X332K250PNG的設(shè)�(jì)目標(biāo)是為用戶提供一種高效的解決方案,以減少系統(tǒng)中的能量損耗并提升整體性能�
型號(hào):FN15X332K250PNG
類型:GaN HEMT
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�15A
�(dǎo)通電阻:33mΩ
柵極電荷�80nC
反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于GaN特性)
封裝形式:TO-247-4L
FN15X332K250PNG具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻:僅為33mΩ,有助于降低�(dǎo)通損��
2. 快速開�(guān)速度:得益于氮化鎵材料的�(yōu)異性能,其開關(guān)頻率可以�(dá)到數(shù)MHz,從而允許使用更小的無源元件�
3. 高擊穿電壓:高達(dá)650V的漏源電壓使其能夠適�(yīng)高壓�(yīng)用環(huán)��
4. 高效率:在硬開關(guān)和軟開關(guān)�(yīng)用中均表�(xiàn)出卓越的效率�
5. 小型化設(shè)�(jì):相比傳�(tǒng)硅基MOSFET,GaN HEMT的體積更小,重量更輕,非常適合緊湊型�(shè)�(jì)需��
6. 熱性能�(yōu)異:低熱阻設(shè)�(jì)確保了器件在高功率密度下的穩(wěn)定運(yùn)��
FN15X332K250PNG主要�(yīng)用于以下幾�(gè)�(lǐng)域:
1. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源:用于提升電源模塊的效率和功率密度�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng):支持高頻逆變器設(shè)�(jì),優(yōu)化電�(jī)控制性能�
3. 太陽能逆變器:�(shí)�(xiàn)更高的轉(zhuǎn)換效率和更低的能量損耗�
4. 消費(fèi)類快充適配器:適用于USB-PD�(xié)議的高效充電方案,縮小適配器尺寸�
5. 電動(dòng)汽車車載充電器(OBC):提供高效率的直流-直流�(zhuǎn)換功��
FNE15X332K250P, TXG015N65H3