FN15N9R0D500PNG是一款高性能的功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),專(zhuān)為需要高效率和低損耗的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具備較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度,非常適合用于開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用領(lǐng)域。
這款芯片具有極佳的熱性能和電氣性能,能夠在高頻工作條件下保持高效運(yùn)行,同時(shí)其封裝形式支持良好的散熱特性,有助于提高系統(tǒng)的整體可靠性。
型號(hào):FN15N9R0D500PNG
類(lèi)型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:90V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流:15A
導(dǎo)通電阻(典型值):4mΩ
總功耗:135W
封裝形式:TO-247-3
工作溫度范圍:-55℃至175℃
FN15N9R0D500PNG的主要特性包括:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在高電流應(yīng)用場(chǎng)景下顯著降低功耗。
2. 高速開(kāi)關(guān)能力,能夠有效減少開(kāi)關(guān)損耗。
3. 具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和耐用性,適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
4. 支持大電流連續(xù)輸出,滿(mǎn)足工業(yè)級(jí)和汽車(chē)級(jí)應(yīng)用需求。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且安全可靠。
6. 內(nèi)部集成ESD保護(hù)電路,增強(qiáng)了器件的抗靜電能力。
7. 提供寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種復(fù)雜工況。
8. 封裝形式堅(jiān)固耐用,適合自動(dòng)化生產(chǎn)和表面貼裝技術(shù)(SMT)。
FN15N9R0D500PNG廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源(SMPS)中的主開(kāi)關(guān)管或同步整流管。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中作為高頻開(kāi)關(guān)元件。
3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路中的功率級(jí)控制。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模塊。
5. 汽車(chē)電子系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)或逆變器組件。
6. 太陽(yáng)能逆變器及其他可再生能源相關(guān)產(chǎn)品。
7. 高效節(jié)能型家用電器中的功率控制單元。
IRF260N, STP15NF06L, FDP15N10E