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FN15N120J500PNG 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/6/6 13:42:41 查看 閱讀�5

FN15N120J500PNG是一款由Fairchild(現(xiàn)為ON Semiconductor)制造的高壓MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)。該器件屬于N溝道增強(qiáng)型MOSFET,具有高擊穿電壓和低�(dǎo)通電阻的特點(diǎn)。它采用PQFN封裝形式,適用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)的應(yīng)用場��
  FN15N120J500PNG的設(shè)�(jì)目標(biāo)是實(shí)�(xiàn)更高效的功率管理,同�(shí)降低系統(tǒng)的整體功�。其工作電壓高達(dá)1200V,非常適合用于工�(yè)電源、太陽能逆變器、電�(jī)�(qū)動以及電動車充電系統(tǒng)等高壓應(yīng)用領(lǐng)��

參數(shù)

最大漏源電壓:1200V
  連續(xù)漏極電流�15A
  �(dǎo)通電阻:4.7mΩ(典型值,在Vgs=15V�(shí)�
  柵極電荷�90nC(典型值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:16ns(典型值)
  總功耗:38W
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

FN15N120J500PNG采用了先�(jìn)的Super Junction技�(shù),從而實(shí)�(xiàn)了更高的效率和更低的�(dǎo)通損�。其主要特性包括:
  - 高擊穿電壓(1200V�,適合高壓應(yīng)用場�
  - 低導(dǎo)通電阻(4.7mΩ�,有助于減少傳導(dǎo)損�
  - 快速開�(guān)速度,有效降低開�(guān)損�
  - 極低的輸入電容和輸出電容,優(yōu)化了動態(tài)性能
  - 增強(qiáng)的熱�(wěn)定�,能夠承受較高的�(jié)�
  - 小尺寸PQFN封裝,節(jié)省PCB空間
  - 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠

�(yīng)�

這款MOSFET廣泛�(yīng)用于多種高壓功率�(zhuǎn)換場景中,具體應(yīng)用領(lǐng)域包括:
  - 工業(yè)電源供應(yīng)�
  - 太陽能光伏逆變�
  - 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
  - 電動車車載充電器(OBC�
  - 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
  - 電機(jī)�(qū)動及控制
  - PFC(功率因�(shù)校正)電�
  由于其出色的性能和可靠�,F(xiàn)N15N120J500PNG在要求高效率和緊湊設(shè)�(jì)的場合表�(xiàn)尤為突出�

替代型號

FDP15N120B, IRGB1408DPBF, STW93N120K5

fn15n120j500png推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價(jià)