FM31X103K631ECG 是富士通微電子(Fujitsu Microelectronics)推出的一款基于 FRAM(鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)技術(shù)的存儲(chǔ)芯片。FRAM 技術(shù)結(jié)合了 EEPROM 和 SRAM 的優(yōu)點(diǎn),具有高速寫(xiě)入、低功耗和高耐用性的特點(diǎn)。該芯片廣泛應(yīng)用于需要頻繁數(shù)據(jù)記錄、快速存儲(chǔ)或低能耗的應(yīng)用場(chǎng)景中。
FM31X103 系列采用 I2C 接口協(xié)議,具備非易失性存儲(chǔ)功能,能夠在斷電后保存數(shù)據(jù)。其典型應(yīng)用場(chǎng)景包括工業(yè)自動(dòng)化、醫(yī)療設(shè)備、計(jì)量?jī)x器以及消費(fèi)類電子產(chǎn)品等。
容量:4Kbit
接口類型:I2C
工作電壓:1.8V 至 5.5V
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
封裝類型:SOP-8
存儲(chǔ)單元壽命:超過(guò) 10^12 次讀寫(xiě)周期
數(shù)據(jù)保持時(shí)間:超過(guò) 10 年
時(shí)鐘頻率:支持高達(dá) 400kHz
引腳數(shù)量:8
FM31X103K631ECG 的核心特性是基于 FRAM 技術(shù)的非易失性存儲(chǔ)能力,它在以下方面表現(xiàn)出色:
1. 高速寫(xiě)入:相比傳統(tǒng)的 EEPROM,F(xiàn)RAM 提供更快的數(shù)據(jù)寫(xiě)入速度,減少了系統(tǒng)的延遲。
2. 超低功耗:由于 FRAM 不需要額外的充電周期來(lái)寫(xiě)入數(shù)據(jù),因此其功耗遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)存儲(chǔ)器。
3. 高耐用性:能夠承受超過(guò) 10^12 次的讀寫(xiě)操作,適用于高頻數(shù)據(jù)記錄環(huán)境。
4. 快速恢復(fù):即使在突然斷電的情況下,F(xiàn)RAM 數(shù)據(jù)也不會(huì)丟失,并且可以快速恢復(fù)。
5. 簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì):通過(guò)減少外部元件需求(如電池備份),降低了整體設(shè)計(jì)復(fù)雜度和成本。
FM31X103K631ECG 可用于多種需要可靠數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的應(yīng)用領(lǐng)域:
1. 工業(yè)控制:例如 PLC、機(jī)器人控制器中的實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)日志記錄。
2. 醫(yī)療設(shè)備:如血糖儀、心率監(jiān)測(cè)器等需要長(zhǎng)期保存用戶健康數(shù)據(jù)的場(chǎng)景。
3. 計(jì)量?jī)x表:智能電表、水表等需要頻繁更新使用數(shù)據(jù)的設(shè)備。
4. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如數(shù)碼相機(jī)、便攜式音頻播放器等。
5. 物聯(lián)網(wǎng)終端:支持 IoT 設(shè)備中的狀態(tài)存儲(chǔ)與遠(yuǎn)程監(jiān)控功能。
MB85RC4ML, FM25CL04B, CAT24C02