FM31N103J201EEG 是一款由富士通微電子(Fujitsu Microelectronics)生產(chǎn)的鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(FeRAM),具有非易失性、高速讀寫和低功耗的特性。該芯片采用先進(jìn)的鐵電工藝制造,能夠在斷電后保存數(shù)據(jù),同時(shí)提供類似SRAM的速度和耐用性。
這款FeRAM主要應(yīng)用于需要頻繁寫入和快速響應(yīng)的數(shù)據(jù)記錄場(chǎng)景,例如工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備、消費(fèi)電子以及汽車電子等領(lǐng)域。
容量:256Kb (32K x 8)
接口類型:SPI
工作電壓:1.71V 至 3.6V
工作溫度范圍:-40°C 至 +85°C
封裝形式:TSSOP-8
數(shù)據(jù)保持時(shí)間:超過(guò)10年
寫入次數(shù):至少1E10次
FM31N103J201EEG 提供了高可靠性和優(yōu)異的性能,以下是其主要特點(diǎn):
1. 非易失性存儲(chǔ):即使在斷電的情況下,數(shù)據(jù)也可以長(zhǎng)期保存。
2. 高速讀寫能力:相比傳統(tǒng)的EEPROM或閃存,寫入速度更快且無(wú)需寫入延遲。
3. 耐用性強(qiáng):可承受高達(dá)1萬(wàn)億次的寫入操作,適合頻繁更新的應(yīng)用場(chǎng)景。
4. 低功耗設(shè)計(jì):寫入操作幾乎不消耗額外的能量,非常適合電池供電的設(shè)備。
5. 簡(jiǎn)化的系統(tǒng)架構(gòu):不需要復(fù)雜的寫入管理或磨損均衡算法。
6. 寬工作電壓范圍:支持從1.71V到3.6V的電壓輸入,適用于多種電源環(huán)境。
FM31N103J201EEG 可廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 工業(yè)自動(dòng)化:用于實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄和設(shè)備狀態(tài)監(jiān)控。
2. 醫(yī)療設(shè)備:如便攜式健康監(jiān)測(cè)設(shè)備中的患者數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。
3. 汽車電子:包括事件數(shù)據(jù)記錄儀(EDR)、導(dǎo)航系統(tǒng)和車載信息娛樂(lè)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)緩存。
4. 消費(fèi)電子產(chǎn)品:例如數(shù)碼相機(jī)中的圖像設(shè)置保存、智能家電的狀態(tài)存儲(chǔ)。
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MB85RS2MT, CAT25S21CI, FM25L16B