FM18N101J101PSG 是一款高性能的 N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。該器件主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源、DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)特性。其設(shè)計(jì)目標(biāo)是提供高效率和可靠性,在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)尤為出色。
FM18N101J101PSG 的封裝形式為符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的表面貼裝類型,便于自動(dòng)化生產(chǎn)和組裝。其出色的電氣性能使其成為許多工業(yè)和消費(fèi)類電子產(chǎn)品的理想選擇。
型號(hào):FM18N101J101PSG
類型:N 溝道增強(qiáng)型 MOSFET
漏源極擊穿電壓 (Vds):100 V
柵源極閾值電壓 (Vgs(th)):2.5 V ~ 4.5 V
最大漏極電流 (Id):12 A
導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):12 mΩ @ Vgs = 10 V
功耗:13.2 W
工作溫度范圍:-55°C ~ +175°C
封裝:PSG
FM18N101J101PSG 具有以下顯著特性:
1. 低導(dǎo)通電阻 (Rds(on)):這使得在大電流應(yīng)用中損耗更低,提高整體效率。
2. 快速開(kāi)關(guān)速度:較低的輸入電容和輸出電容確保了更快的開(kāi)關(guān)響應(yīng)時(shí)間,減少開(kāi)關(guān)損耗。
3. 高耐壓能力:100V 的漏源極擊穿電壓允許其在較高電壓環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 寬廣的工作溫度范圍:從 -55°C 到 +175°C 的溫度區(qū)間保證了其在極端環(huán)境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn):無(wú)鉛環(huán)保設(shè)計(jì),滿足現(xiàn)代綠色電子產(chǎn)品的要求。
6. 表面貼裝封裝 (PSG):適合大規(guī)模生產(chǎn),并且節(jié)省空間。
FM18N101J101PSG 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
1. 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS) 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的同步整流。
2. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路中的功率級(jí)開(kāi)關(guān)。
3. LED 照明驅(qū)動(dòng)電路。
4. 電池保護(hù)和管理模塊。
5. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換。
6. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中的功率轉(zhuǎn)換和調(diào)節(jié)。
由于其高性能和可靠性,F(xiàn)M18N101J101PSG 在各種需要高效功率轉(zhuǎn)換和開(kāi)關(guān)操作的應(yīng)用中表現(xiàn)出色。
FM18N101J101PFG, IRFZ44N, FQP18N10