FIR4N65FG 是一� N 沱道垂直功率 MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要應用于高頻開關電路和電源管理領�。該器件采用 TO-247 封裝,具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適合于需要高效率和低損耗的應用場景�
該芯片的工作電壓高達 650V,能夠承受較大的漏源極電壓,同時具備良好的熱�(wěn)定性和可靠�,廣泛用于開關電�、逆變�、電機驅(qū)動等電力電子設備中�
最大漏源極電壓�650V
最大漏極電流:14A
導通電阻(典型值)�1.3Ω
柵極電荷�25nC
總電容(Ciss):2250pF
開關頻率:最高可� 500kHz
封裝形式:TO-247
工作溫度范圍�-55� � +150�
1. 高耐壓能力:FIR4N65FG 的漏源極電壓高達 650V,使其適用于高壓�(huán)境下的開關應用�
2. 低導通電阻:在額定條件下,其導通電阻僅� 1.3Ω,可顯著降低導通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開關性能:該器件的柵極電荷較?�?5nC�,確保了快速的開關切換,從而減少開關損耗�
4. 熱穩(wěn)定性強:即使在高溫�(huán)境下,F(xiàn)IR4N65FG 也能保持�(wěn)定的電氣性能�
5. 可靠性高:經(jīng)過嚴格的�(zhì)量測�,該�(chǎn)品具有較長的使用壽命和出色的抗干擾能��
1. 開關電源(SMPS):作為主開關管,用于實�(xiàn)高效� AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)��
2. 逆變器:用于光伏逆變器或 UPS 中的高頻開關電路�
3. 電機�(qū)動:控制直流無刷電機或其他類型的電動機運��
4. PFC(功率因�(shù)校正)電路:提升系統(tǒng)的功率因�(shù)并滿足相關標準要��
5. 其他電力電子設備:如充電�、焊接設�、照明驅(qū)動等�
IRFP460, STW82N65MD, FDP18N65C