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FHW1812IF2R2JST 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 9:52:24 查看 閱讀�28

FHW1812IF2R2JST 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效功率轉(zhuǎn)換芯�,主要用于高頻開�(guān)電源、適配器和工�(yè)電源�(yīng)�。該芯片采用超小型封裝設(shè)�(jì),能夠提供高效率、高功率密度的解決方案,同時(shí)具備出色的熱性能和可靠�。其�(nèi)置驅(qū)�(dòng)電路和保�(hù)功能,簡(jiǎn)化了系統(tǒng)�(shè)�(jì)并提高了整體�(wěn)定��
  該型�(hào)適用于消�(fèi)電子、通信�(shè)備以及工�(yè)自動(dòng)化等�(lǐng)域的高效率電源管理需��

參數(shù)

型號(hào):FHW1812IF2R2JST
  封裝:DFN8
  額定電壓�650V
  �(dǎo)通電阻:2.2mΩ
  最大電流:18A
  柵極電荷�45nC
  工作溫度范圍�-55� to +175�
  開關(guān)頻率:高�(dá) 2MHz
  輸入電容�1250pF
  輸出電容�95pF
  反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于 GaN 技�(shù)特性)

特�

FHW1812IF2R2JST 是基于最新一代氮化鎵�(chǎng)效應(yīng)晶體管(e-mode GaN HEMT)技�(shù)制�,具備以下顯著特性:
  1. 高開�(guān)頻率支持,能�?qū)崿F(xiàn)小型化磁性元件設(shè)�(jì),從而大幅減少電源系�(tǒng)的體積和重量�
  2. 極低的導(dǎo)通電� (2.2mΩ),有助于降低傳導(dǎo)損耗,提升整體效率�
  3. �(nèi)置全面的保護(hù)功能,包括過流保�(hù)、短路保�(hù)和過溫保�(hù),確保在異常條件下依然安全運(yùn)行�
  4. 超低柵極電荷 (45nC),有效減少開�(guān)損耗,特別適合高頻�(yīng)用場(chǎng)��
  5. 支持寬范圍的工作溫度 (-55� � +175�),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行需��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代化電子�(shè)備中�

�(yīng)�

這款芯片主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 快速充電器� USB-PD 適配��
  2. 開關(guān)模式電源 (SMPS) � AC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)及控制單元�
  4. 通信基站中的高效 DC-DC �(zhuǎn)換模��
  5. 筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備的電源解決方案�
  6. LED 照明�(qū)�(dòng)器和投影儀電源系統(tǒng)�
  FHW1812IF2R2JST 的高效率和緊湊設(shè)�(jì)使其成為上述�(yīng)用的理想選擇�

替代型號(hào)

FHW1812IF2R7JST
  FHW1212IF2R2JST
  GAN063-650WSA

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