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FHU4N60 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 8:56:33 查看 閱讀�21

FHU4N60是一種N溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等領域。該器件采用TO-220封裝,具有高耐壓、低導通電阻和快速開關特�,適合高頻開關應用�
  作為一款垂直結構的功率MOSFET,F(xiàn)HU4N60通過�(yōu)化設計降低了開關損�,并提升了系�(tǒng)的效率與可靠��

參數

最大漏源電壓:600V
  連續(xù)漏極電流�4.4A
  導通電阻:3.4Ω(典型值,在Vgs=10V時)
  柵極電荷�29nC(典型值)
  總耗散功率�115W(在TA=25℃時�
  工作結溫范圍�-55℃至+150�

特�

FHU4N60采用了先進的工藝技�,具有以下主要特性:
  1. 高擊穿電�,能夠承受高�600V的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
  2. 低導通電阻,有效減少導通損�,提升系�(tǒng)效率�
  3. 快速開關速度,降低開關損耗,適合高頻開關應用�
  4. 較低的柵極電荷,減少了驅動電路的負擔�
  5. 熱穩(wěn)定性好,能夠在寬溫度范圍內可靠工作�
  6. 封裝形式為標準TO-220,便于安裝和散熱�

應用

FHU4N60適用于多種電力電子應用場景,包括但不限于以下領域�
  1. 開關電源(SMPS)中的主開關��
  2. DC-DC轉換器中的同步整流或高頻開關�
  3. 電機驅動電路中的功率開關�
  4. 逆變器及UPS不間斷電源中的功率級�
  5. 各種負載開關和保護電路�
  其高耐壓和高效能的特點使其成為工�(yè)控制、消費電子和汽車電子的理想選��

替代型號

IRF840, STP4NB60Z, FDP7770

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