FHU4N60是一種N溝道功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等領域。該器件采用TO-220封裝,具有高耐壓、低導通電阻和快速開關特�,適合高頻開關應用�
作為一款垂直結構的功率MOSFET,F(xiàn)HU4N60通過�(yōu)化設計降低了開關損�,并提升了系�(tǒng)的效率與可靠��
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�4.4A
導通電阻:3.4Ω(典型值,在Vgs=10V時)
柵極電荷�29nC(典型值)
總耗散功率�115W(在TA=25℃時�
工作結溫范圍�-55℃至+150�
FHU4N60采用了先進的工藝技�,具有以下主要特性:
1. 高擊穿電�,能夠承受高�600V的漏源電�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
2. 低導通電阻,有效減少導通損�,提升系�(tǒng)效率�
3. 快速開關速度,降低開關損耗,適合高頻開關應用�
4. 較低的柵極電荷,減少了驅動電路的負擔�
5. 熱穩(wěn)定性好,能夠在寬溫度范圍內可靠工作�
6. 封裝形式為標準TO-220,便于安裝和散熱�
FHU4N60適用于多種電力電子應用場景,包括但不限于以下領域�
1. 開關電源(SMPS)中的主開關��
2. DC-DC轉換器中的同步整流或高頻開關�
3. 電機驅動電路中的功率開關�
4. 逆變器及UPS不間斷電源中的功率級�
5. 各種負載開關和保護電路�
其高耐壓和高效能的特點使其成為工�(yè)控制、消費電子和汽車電子的理想選��
IRF840, STP4NB60Z, FDP7770