FHF5N60是一款N溝道功率MOSFET,采用TO-220封裝形式。該器件主要應用于開關電源、直流電機驅動、逆變器以及其他需要高效功率切換的電路中。FHF5N60以其低導通電阻和高擊穿電壓特性著稱,能夠在高頻條件下實現(xiàn)高效的功率轉換。
FHF5N60的制造工藝基于先進的半導體技術,確保了其在各種惡劣工作環(huán)境下的穩(wěn)定性和可靠性。
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流:5.8A
柵極閾值電壓:4V~6V
導通電阻(典型值):3.6Ω
功耗:118W
結溫范圍:-55℃~+150℃
FHF5N60具有以下顯著特性:
1. 高耐壓能力,額定漏源電壓為600V,適用于高壓應用場合。
2. 低導通電阻,在額定電流下可以減少功率損耗,提高效率。
3. 快速開關性能,適合高頻應用,能夠降低開關損耗。
4. 穩(wěn)定的電氣參數(shù),確保在不同溫度和負載條件下的可靠運行。
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。
6. TO-220封裝設計,便于散熱和安裝,適合多種PCB布局需求。
FHF5N60廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS),包括AC/DC轉換器和DC/DC轉換器。
2. 電機驅動,如無刷直流電機控制和步進電機驅動。
3. 逆變器和不間斷電源(UPS)系統(tǒng)。
4. 各類工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊。
5. 汽車電子中的負載切換和保護電路。
6. 其他需要高性能功率MOSFET的應用場景。
IRF540N
STP55NF06
FQP50N06L