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FGPF4533 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/12/19 17:11:43 查看 閱讀�209

�(chǎn)品種�: IGBT晶體�

目錄

概述

制造商: Fairchild Semiconductor
�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�
封裝 / 箱體: TO-220F
集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 330 V
集電極—射極擊穿電�: 330 V
集電極—射極飽和電�: 1.15 V
柵極/�(fā)射極最大電�: 30 V
集電極最大連續(xù)電流 Ic: 200 A
柵極—射極漏泄電�: 400 nA
功率耗散: 28.4 W
封裝: Tube
最大工作溫�: + 125

最小工作溫�: - 55

安裝�(fēng)�: Through Hole

fgpf4533推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
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fgpf4533參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝50
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭IGBT - 單路
  • 系列-
  • IGBT 類型溝道
  • 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿(最大)330V
  • Vge, Ic�(shí)的最大Vce(開�1.8V @ 15V�50A
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大)-
  • 功率 - 最�28.4W
  • 輸入類型�(biāo)�(zhǔn)�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-220-3 整包
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�TO-220F
  • 包裝管件