FGL60N100BNTDTU 是一款高� N 沃特型功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET�,專為高頻開�(guān)�(yīng)用設(shè)�。該器件采用先進的溝槽技�(shù)制造,具備低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于工業(yè)、通信和消費類電子�(shè)備中的電源轉(zhuǎn)�、電機驅(qū)動和其他功率管理場景�
� MOSFET 的封裝形式通常� TO-247 或類似大功率封裝,便于散熱并支持高電流操��
最大漏源電壓:1000V
連續(xù)漏極電流�60A
�(dǎo)通電阻:3.5Ω(典型值)
柵極電荷�150nC(典型值)
開關(guān)時間:ton=80ns,toff=60ns
工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
FGL60N100BNTDTU 具備以下顯著特點�
1. 極高的耐壓能力,適合高電壓�(yīng)用場��
2. 超低的導(dǎo)通電�,可有效減少傳導(dǎo)損耗�
3. 快速的開關(guān)性能,支持高頻工作環(huán)��
4. 高溫適應(yīng)�,確保在極端條件下可靠運��
5. �(yōu)化的熱性能�(shè)計,提高功率密度和系�(tǒng)效率�
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛材��
這款功率 MOSFET 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS)設(shè)計�
2. 工業(yè)逆變器與變頻��
3. 太陽能光伏逆變器�
4. 高效電機�(qū)動控��
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)�
6. 各種需要高壓大電流處理能力的電路模��
FGH60N100BDTDTU, IRFP260N, STW80NM100K5