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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > FGH75T65SQD-F155

FGH75T65SQD-F155 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 19:20:32 查看 閱讀�28

FGH75T65SQD-F155 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET,采� TO-247 封裝形式。該器件具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于需要高效率和低損耗的應用場景,例如開關電�、電機驅(qū)動和逆變器等。其額定電壓� 650V,能夠滿足大多數(shù)高壓應用需��
  該型號的設計重點在于�(yōu)化了 Rds(on) � Qg 參數(shù)之間的平衡,從而實�(xiàn)了更高的系統(tǒng)效率和更低的�(fā)熱。同�,由于采用了先進的封裝技�,F(xiàn)GH75T65SQD-F155 具備良好的散熱性能,適合長時間連續(xù)運行的工�(yè)�(huán)境�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�75A
  脈沖漏極電流�300A
  導通電阻(Rds(on)):15mΩ(典型值)
  柵極電荷(Qg):95nC(最大值)
  輸入電容(Ciss):3800pF
  總電容(Crss):60pF
  輸出電容(Coss):110pF
  工作結溫范圍�-55� � +175�
  封裝形式:TO-247

特�

1. 高擊穿電壓:650V 的額定電壓確保了 FGH75T65SQD-F155 在高壓應用中的穩(wěn)定��
  2. 超低導通電阻:� 15mΩ 的典型導通電阻顯著降低了功率損耗,提高了整體效��
  3. 快速開關能力:較小的柵極電荷和�(yōu)化的寄生電容設計使得� MOSFET 可以實現(xiàn)快速開�,減少開關損��
  4. 強大的散熱性能:TO-247 封裝提供了優(yōu)秀的熱傳導路徑,使器件能夠在高負載條件下長期穩(wěn)定運行�
  5. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -55� � +175� 的結溫范�,適應各種惡劣環(huán)境下的使用需求�
  6. 符合 RoHS 標準:環(huán)保材料的選擇使其符合國際�(huán)保法�(guī)要求�

應用

1. 開關電源(SMPS�
  2. 工業(yè)電機�(qū)�
  3. 太陽能逆變�
  4. 電動汽車牽引逆變�
  5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
  6. LED 照明�(qū)�
  7. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
  8. PFC(功率因�(shù)校正)電�
  9. 其他需要高壓、大電流和高效切換的應用場景

fgh75t65sqd-f155推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fgh75t65sqd-f155參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�134,550Factory
  • 價格1 : �54.38000管件
  • 系列-
  • 包裝管件
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • IGBT 類型溝槽型場截止
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值)650 V
  • 電流 - 集電� (Ic)(最大值)150 A
  • 電流 - 集電極脈� (Icm)300 A
  • 不同?Vge、Ic �?Vce(on)(最大值)-
  • 功率 - 最大�375 W
  • 開關能量760μJ(開),180μJ(關�
  • 輸入類型標準
  • 柵極電荷128 nC
  • 25°C � Td(開/關)�-
  • 測試條件-
  • 反向恢復時間 (trr)43 ns
  • 工作溫度-55°C ~ 175°C(TJ�
  • 安裝類型通孔
  • 封裝/外殼TO-247-3
  • 供應商器件封�TO-247-3