FGH75T65SQD-F155 是一款高性能� N 溝道增強� MOSFET,采� TO-247 封裝形式。該器件具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于需要高效率和低損耗的應用場景,例如開關電�、電機驅(qū)動和逆變器等。其額定電壓� 650V,能夠滿足大多數(shù)高壓應用需��
該型號的設計重點在于�(yōu)化了 Rds(on) � Qg 參數(shù)之間的平衡,從而實�(xiàn)了更高的系統(tǒng)效率和更低的�(fā)熱。同�,由于采用了先進的封裝技�,F(xiàn)GH75T65SQD-F155 具備良好的散熱性能,適合長時間連續(xù)運行的工�(yè)�(huán)境�
最大漏源電壓:650V
連續(xù)漏極電流�75A
脈沖漏極電流�300A
導通電阻(Rds(on)):15mΩ(典型值)
柵極電荷(Qg):95nC(最大值)
輸入電容(Ciss):3800pF
總電容(Crss):60pF
輸出電容(Coss):110pF
工作結溫范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247
1. 高擊穿電壓:650V 的額定電壓確保了 FGH75T65SQD-F155 在高壓應用中的穩(wěn)定��
2. 超低導通電阻:� 15mΩ 的典型導通電阻顯著降低了功率損耗,提高了整體效��
3. 快速開關能力:較小的柵極電荷和�(yōu)化的寄生電容設計使得� MOSFET 可以實現(xiàn)快速開�,減少開關損��
4. 強大的散熱性能:TO-247 封裝提供了優(yōu)秀的熱傳導路徑,使器件能夠在高負載條件下長期穩(wěn)定運行�
5. 廣泛的工作溫度范圍:支持� -55� � +175� 的結溫范�,適應各種惡劣環(huán)境下的使用需求�
6. 符合 RoHS 標準:環(huán)保材料的選擇使其符合國際�(huán)保法�(guī)要求�
1. 開關電源(SMPS�
2. 工業(yè)電機�(qū)�
3. 太陽能逆變�
4. 電動汽車牽引逆變�
5. 不間斷電源(UPS)系�(tǒng)
6. LED 照明�(qū)�
7. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器
8. PFC(功率因�(shù)校正)電�
9. 其他需要高壓、大電流和高效切換的應用場景