時間：2025/5/21 17:29:47
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FGH60T65SQD-F155是一款高性能的MOSFET功率晶體管，采用先進的制造工藝設計，廣泛應用于開關電源、電機驅(qū)動、逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的應用場景。該器件具有低導通電阻、高擊穿電壓和快速開關速度等特性，能夠顯著提升系統(tǒng)效率并減少功率損耗。
其封裝形式為TO-247，適合表面貼裝或通過焊接進行安裝，同時具備良好的散熱性能以滿足高功率應用需求。
最大漏源電壓：650V
連續(xù)漏極電流：60A
導通電阻：0.018Ω
柵極電荷：85nC
反向恢復時間：35ns
工作溫度范圍：-55℃至175℃
1. 高擊穿電壓（650V），確保在高壓環(huán)境下的穩(wěn)定運行。
2. 極低的導通電阻（0.018Ω），降低導通狀態(tài)下的功率損耗。
3. 快速開關能力，得益于較小的柵極電荷和短反向恢復時間，適用于高頻開關應用。
4. 寬泛的工作溫度范圍（-55℃至175℃），適應各種極端環(huán)境條件。
5. 符合RoHS標準，環(huán)保且可靠。
6. TO-247封裝提供出色的熱管理和機械穩(wěn)定性。
該芯片適用于多種工業(yè)和消費類電子設備，包括但不限于以下領域：
1. 開關模式電源（SMPS）設計，如AC-DC適配器和電源模塊。
2. 電機驅(qū)動電路，用于家用電器、工業(yè)設備和電動車。
3. 太陽能逆變器和不間斷電源（UPS）系統(tǒng)中的功率轉(zhuǎn)換。
4. LED驅(qū)動器和其他需要高效功率管理的場合。
5. 各種高頻功率轉(zhuǎn)換應用場景。
FGH60T65SQD-F150
IRFP460
STP60NF65
FDP18N65S
