FGH40T65UPD是一款N溝道增強型功率MOSFET,采用TO-252封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,適用于多種功率�(zhuǎn)換和電源管理�(yīng)用場合�
這款MOSFET的漏源極耐壓高達(dá)650V,能夠承受較高的電壓波動,同時具備良好的熱性能,適合用于工�(yè)�(shè)�、消費電子以及汽車電子領(lǐng)域中的各種電路設(shè)��
最大漏源電壓:650V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�40A
�(dǎo)通電阻(典型值)�0.18Ω
總功耗:290W
�(jié)溫范圍:-55℃至175�
封裝形式:TO-252
FGH40T65UPD具有以下顯著特性:
1. 高擊穿電壓,能夠適應(yīng)高壓工作�(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電�,減少導(dǎo)通損�,提高系�(tǒng)效率�
3. 快速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)��
4. 良好的雪崩能�,增強了器件在異常條件下的可靠��
5. 小型化的TO-252封裝,便于安裝并節(jié)省PCB空間�
6. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性,能夠在較寬溫度范圍內(nèi)可靠運行�
該功率MOSFET廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)及DC-DC�(zhuǎn)換器�
2. 電機�(qū)動與控制電路�
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模塊�
4. 汽車電子中的�(fù)載切換和保護電路�
5. 電池管理系統(tǒng)(BMS),用作充放電路徑的開�(guān)元件�
6. 各類家用電器中的電源管理和電機驅(qū)動部��
IRFZ44N, FGH60T65UFD