時間：2025/5/24 15:12:06
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FGD3050G2是一款高壓功率MOSFET，主要用于開關電源、DC-DC轉換器、電機驅動等應用領域。該器件采用先進的溝槽式工藝制造，具有低導通電阻和高效率的特點，能夠有效降低系統(tǒng)功耗并提高整體性能。
FGD3050G2支持高頻率操作，同時具備優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠性，適用于多種工業(yè)和消費類電子場景。
最大漏源電壓：500V
連續(xù)漏極電流：3.0A
導通電阻：1.2Ω（典型值）
柵極電荷：35nC（最大值）
輸入電容：1500pF
開關速度：快速
封裝形式：TO-220
1. 高耐壓能力，最高可達500V，適合高壓環(huán)境應用。
2. 極低的導通電阻，減少功率損耗，提升效率。
3. 快速開關特性，可實現(xiàn)高頻工作，滿足現(xiàn)代電力電子設備的需求。
4. 良好的熱穩(wěn)定性，能夠在較高溫度下可靠運行。
5. 具備短路保護功能，增強系統(tǒng)安全性。
6. 封裝形式為TO-220，易于安裝和散熱。
FGD3050G2廣泛應用于開關電源、適配器、LED驅動器、逆變器、電機驅動以及各種需要高壓開關的場合。它特別適合用于中小功率范圍內的高效能轉換電路設計。
FGD3050G, IRF840, STP3NB50
