FGD2736G3-F085V是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要應用于開關電源、電機驅�、DC-DC轉換器等領域。該器件采用N溝道增強型技術,具有低導通電阻和高效率的特點,適用于高頻開關應用�
該芯片通過�(yōu)化的制造工藝實現了較低的柵極電荷和輸出電荷,從而提升了開關性能并降低了能�。此外,其堅固的設計使其能夠在惡劣的工作�(huán)境下保持�(wěn)定運�,是許多工業(yè)和消費類電子產品的理想選擇�
最大漏源電壓:85V
連續(xù)漏極電流�36A
導通電阻:3.6mΩ
柵極電荷�110nC
工作結溫范圍�-55℃至+175�
封裝形式:TO-247
FGD2736G3-F085V具備以下顯著特點�
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可有效降低傳導損��
2. 快速的開關速度,適合高頻應用場��
3. 高度�(wěn)定的電氣性能,在高溫�(huán)境下仍能保持�(yōu)良表��
4. 具有出色的熱性能,能夠承受較大的功率密度�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全可靠�
6. 內置靜電保護功能,增強了芯片的耐用��
該型號廣泛用于各種電力電子領�,具體包括:
1. 開關電源(SMPS)設計中的主開關��
2. 電機驅動電路中的功率級控��
3. DC-DC轉換器中作為同步整流器件或高端開關�
4. 逆變�、電池管理系統(BMS)以及其他需要高效功率切換的應用場景�
5. 工業(yè)自動化設備及汽車電子中的負載切換與控制模��
FGD2736G3-F090V, IRFZ44N, FDP5500