FGA25N120ANTDTU是一款高性能的MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),屬于N溝道增強型功率MOSFET。該器件具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性,適用于多種工�(yè)�(yīng)用中的功率轉(zhuǎn)換和電機�(qū)動場景。其封裝形式為TO-247,適合表面貼裝或通孔安裝�
最大漏源電壓:1200V
連續(xù)漏極電流�25A
�(dǎo)通電阻:95mΩ
柵極電荷�35nC
開關(guān)時間:ton=80ns, toff=45ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
FGA25N120ANTDTU采用先進的制造工藝,具備以下顯著特點�
1. 極低的導(dǎo)通電�,在高溫條件下也能保持出色的效率�
2. 高擊穿電壓設(shè)�,確保在高壓�(huán)境下的穩(wěn)定運��
3. 快速開�(guān)特�,減少開�(guān)損�,提升系�(tǒng)整體效率�
4. 具備�(yōu)異的雪崩能力和抗靜電性能,增強器件的可靠性�
5. 封裝�(shè)計優(yōu)化散熱性能,適用于高功率密度的�(yīng)用場��
該器件廣泛應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)和DC-DC�(zhuǎn)換器中作為主開關(guān)管�
2. 工業(yè)電機�(qū)動和逆變器控制電��
3. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)中的功率管理模塊�
4. 電動汽車充電�(shè)備和電池管理系統(tǒng)�
5. 高壓�(fù)載切換和保護電路�
FGA20N120ANTD, FGA30N120ANTD, IRFP250N