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制造商: Fairchild Semiconductor�(chǎn)品種�: IGBT 晶體�封裝 / 箱體: TO-3P集電極—發(fā)射極最大電� VCEO: 300 V集電極—射極擊穿電�: 300 V集電極—射極飽和電�: 1.9 V柵極/�(fā)射極最大電�: 30 V集電極最大連續(xù)電流 Ic: 120 A柵極—射極漏泄電�: +/- 250 nA功率耗散: 290 W封裝: Tube配置: Single
IC型號(hào)索引� A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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