FF1400R12IP4 是一款基于碳化硅 (SiC) 技�(shù)� MOSFET 功率模塊,由 Infineon Technologies 推出。該模塊采用了半橋拓?fù)浣Y(jié)�(gòu),適用于高功率密度和高效率的�(yīng)用場�。其�(shè)�(jì)旨在滿足電動汽車、可再生能源以及工業(yè)�(qū)動等�(lǐng)�?qū)Ω咝Чβ兽D(zhuǎn)換的需求�
FF1400R12IP4 的核心優(yōu)勢在于其低導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,同�(shí)具有出色的熱管理能力。通過使用 SiC 材料,該模塊能夠?qū)崿F(xiàn)更高的工作溫度范圍和更高的開�(guān)頻率,從而減少系�(tǒng)尺寸并提高整體效��
額定電壓�1200V
額定電流�1400A
�(dǎo)通電阻(典型值)�3.5mΩ
最大結(jié)溫:175°C
封裝類型:Easy2B
開關(guān)頻率:高�(dá) 100kHz
柵極電荷(Qg):85nC
反向恢復(fù)�(shí)間(trr):<50ns
熱阻(結(jié)到殼):0.02K/W
1. 高效� SiC MOSFET 技�(shù)提供了比傳統(tǒng)硅基 IGBT 更高的效��
2. 半橋�?fù)湓O(shè)�(jì)使其易于集成到三相逆變器或 DC-DC �(zhuǎn)換器��
3. 低寄生電感封裝確保了高頻�(yùn)行時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性�
4. 高達(dá) 175°C 的最大結(jié)溫允許在極端條件下運(yùn)�,提高了系統(tǒng)的魯棒性�
5. �(nèi)置負(fù)溫度系數(shù)特性有助于均流,適合并�(lián)�(yīng)��
6. �(yōu)化的散熱�(shè)�(jì),使得模塊即使在高功率密度下也能保持較低的工作溫度�
7. 提供了全面的保護(hù)功能,包括短路保�(hù)和過溫保�(hù)�
1. 電動汽車中的牽引逆變器�
2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動器,尤其是需要高效率和高動態(tài)響應(yīng)的應(yīng)用�
3. 太陽能光伏逆變�,用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流��
4. 不間斷電� (UPS) 系統(tǒng),提供高效的功率�(diào)節(jié)�
5. 充電站基�(chǔ)�(shè)施,支持快速充電需��
6. �(fēng)力發(fā)電變流器,用于能量轉(zhuǎn)換與電網(wǎng)連接�
FF200R12IP4, FF1200R12IP4