時間：2025/5/29 13:53:29
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FED4E20180150R201JT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高頻開關應用和功率轉換領域。該器件采用先進的制造工藝，具備低導通電阻和快速開關速度的特點，適合用于高效率、緊湊型設計的電源系統(tǒng)中。其封裝形式為表面貼裝類型，能夠有效提升散熱性能并簡化電路板布局。
型號：FED4E20180150R201JT
類別：功率 MOSFET
極性：N-Channel
最大漏源電壓（Vds）：150 V
最大柵源電壓（Vgs）：±20 V
連續(xù)漏極電流（Id）：201ds(on)）：1.5 mΩ
總功耗：200 W
工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
封裝：TO-247-3L
FED4E20180150R201JT 具備以下顯著特性：
1. 極低的導通電阻（Rds(on)），有助于減少傳導損耗，提高整體效率。
2. 快速的開關速度，可實現高頻操作，適用于高頻 DC-DC 轉換器和逆變器。
3. 高雪崩能量能力，增強了器件在異常條件下的耐用性。
4. 熱穩(wěn)定性強，能夠在較寬的工作溫度范圍內保持性能一致性。
5. 小巧且高效的封裝設計，支持大電流和良好的散熱性能。
6. 內置 ESD 保護功能，提高了芯片在實際應用中的可靠性。
這款功率 MOSFET 廣泛應用于多種領域，包括但不限于以下場景：
1. 開關電源（SMPS）設計，如 AC-DC 和 DC-DC 轉換器。
2. 電動車輛（EV/HEV）的電機驅動和車載充電系統(tǒng)。
3. 工業(yè)自動化設備中的功率控制模塊。
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系統(tǒng)的功率調節(jié)。
5. 高效照明解決方案，例如 LED 驅動電路。
6. 各種需要高效功率管理的應用場合。
FDP035N150B, IRFGB30N150KD, FGH01N150TB
