FE252NH-LF 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,屬于增強型場效應晶體管。該器件專為高頻、高效能應用�(shè)�,能夠在高頻工作條件下提供卓越的功率�(zhuǎn)換效率和快速開�(guān)性能�
這款芯片采用表面貼裝封裝形式,具有低導通電阻和低柵極電荷的特點,非常適合用于電源管�、DC-DC�(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)備以及各類需要高效能量轉(zhuǎn)換的場景�
類型:增強型場效應晶體管
材料:氮化鎵 (GaN)
最大漏源電壓:200V
連續(xù)漏極電流�8A
導通電阻:30mΩ(典型值)
柵極電荷�12nC(典型值)
�(jié)溫范圍:-55°C � +175°C
封裝形式:LFPAK88
FE252NH-LF 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:高達200V,能夠支持高壓應用場景�
2. 低導通電阻:30mΩ 的典型導通電阻顯著降低了傳導損��
3. 快速開�(guān)能力:由于其低柵極電荷和�(yōu)化的�(nèi)部結(jié)�(gòu),使得開�(guān)頻率可以達到兆赫茲級別�
4. 高效節(jié)能:在高頻開�(guān)條件下保持較低的功�,適合對效率要求較高的應用�
5. 熱穩(wěn)定性強:能夠在寬廣的溫度范圍內(nèi)�(wěn)定工�,適用于各種惡劣�(huán)��
6. 表面貼裝封裝:便于自動化生產(chǎn),提高了裝配效率并降低了成本�
FE252NH-LF 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的高頻功率轉(zhuǎn)換�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器,特別是在電動汽車或工業(yè)�(shè)備中�
3. 無線充電系統(tǒng),支持更高效率的能量傳輸�
4. LED�(qū)動器,實�(xiàn)精確的電流控制�
5. 光伏逆變器和儲能系統(tǒng)中的功率管理模塊�
6. 各類需要快速開�(guān)及高效率的應用場景,如電機驅(qū)動等�
FGH252N20LAE
IPB60R099P7
GAN063-650WSA