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FDV302P_NB8V001 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2023/12/19 17:55:23 查看 閱讀�177

�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)

目錄

概述

制造商:FairchildSemiconductor
�(chǎn)品種類:MOSFET小信�(hào)
RoHS:是
配置:Single
晶體管極性:P-Channel
汲極/源極擊穿電壓�25V
�/源擊穿電壓:8V
漏極連續(xù)電流�0.12A
功率耗散�350mW
最大工作溫度:+150

安裝�(fēng)格:SMD/SMT
封裝/箱體:SOT-23-3
封裝:Reel
最小工作溫度:-55

fdv302p_nb8v001推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

fdv302p_nb8v001參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝3,000
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列-
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點(diǎn)�(biāo)�(zhǔn)�
  • 漏極至源極電�(Vdss)25V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C120mA
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 歐姆 @ 200mA�4.5V
  • Id �(shí)� Vgs(th)(最大)1.5V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs0.31nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds11pF @ 10V
  • 功率 - 最�350mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�SOT-23
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDV302P_NB8V001-NDFDV302P_NB8V001TR