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FDT4N50NZU 發(fā)布時間 時間�2025/4/29 13:02:09 查看 閱讀�39

FDT4N50NZU是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器等需要高效能和低�(dǎo)通電阻的場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,確保了其在高頻開關(guān)�(yīng)用中的優(yōu)異性能�

參數(shù)

型號:FDT4N50NZU
  類型:N溝道MOSFET
  封裝:TO-220
  Vds(漏源極耐壓):500V
  Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�0.35Ω
  Id(連續(xù)漏極電流):4.9A
  Bvdss(漏源擊穿電壓)�500V
  Vgs(th)(閾值電壓)�3V
  fT(截止頻率)�1.6MHz
  功耗:100W
  工作溫度范圍�-55� to +150�

特�

FDT4N50NZU具有高耐壓能力,能夠承受高�(dá)500V的漏源極電壓,適用于高壓�(huán)境下的各種電路設(shè)��
  其導(dǎo)通電阻僅�0.35Ω,在大電流應(yīng)用中可以顯著降低功耗�
  該器件的快速開�(guān)特性和低柵極電荷使得它非常適合高頻開關(guān)�(yīng)用,從而提高系�(tǒng)效率�
  FDT4N50NZU采用TO-220�(biāo)�(zhǔn)封裝,便于安裝和散熱管理�
  此外,該器件具有較低的反向傳輸電�,�(jìn)一步減少了開關(guān)損耗�

�(yīng)�

FDT4N50NZU主要�(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)、逆變�、DC-DC�(zhuǎn)換器、LED�(qū)動器、電�(jī)�(qū)動以及各種工�(yè)控制�(shè)備中�
  由于其高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特點,這款MOSFET特別適合用于需要高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)�
  同時,它也適用于太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)�,以實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和傳輸�

替代型號

FDP057AN
  IRF540N
  STP55NF06L

fdt4n50nzu推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fdt4n50nzu參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�0�(xiàn)�
  • 價格1 : �10.81000剪切帶(CT�4,000 : �4.60226卷帶(TR�
  • 系列UltraFRFET?, Unifet? II
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • FET 類型N 通道
  • 技�(shù)MOSFET(金屬氧化物�
  • 漏源電壓(Vdss�500 V
  • 25°C 時電� - 連續(xù)漏極 (Id)2A(Tc�
  • �(qū)動電壓(最� Rds On,最� Rds On�10V
  • 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(最大值)3 歐姆 @ 1A�10V
  • 不同 Id � Vgs(th)(最大值)5.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 時柵極電�?(Qg)(最大值)9.1 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 時輸入電� (Ciss)(最大值)476 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Tc�
  • 工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ�
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 供應(yīng)商器件封�SOT-223(TO-261�
  • 封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA