FDT4N50NZU是一款N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管),廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)動、DC-DC�(zhuǎn)換器等需要高效能和低�(dǎo)通電阻的場景。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,確保了其在高頻開關(guān)�(yīng)用中的優(yōu)異性能�
型號:FDT4N50NZU
類型:N溝道MOSFET
封裝:TO-220
Vds(漏源極耐壓):500V
Rds(on)(導(dǎo)通電�,典型值)�0.35Ω
Id(連續(xù)漏極電流):4.9A
Bvdss(漏源擊穿電壓)�500V
Vgs(th)(閾值電壓)�3V
fT(截止頻率)�1.6MHz
功耗:100W
工作溫度范圍�-55� to +150�
FDT4N50NZU具有高耐壓能力,能夠承受高�(dá)500V的漏源極電壓,適用于高壓�(huán)境下的各種電路設(shè)��
其導(dǎo)通電阻僅�0.35Ω,在大電流應(yīng)用中可以顯著降低功耗�
該器件的快速開�(guān)特性和低柵極電荷使得它非常適合高頻開關(guān)�(yīng)用,從而提高系�(tǒng)效率�
FDT4N50NZU采用TO-220�(biāo)�(zhǔn)封裝,便于安裝和散熱管理�
此外,該器件具有較低的反向傳輸電�,�(jìn)一步減少了開關(guān)損耗�
FDT4N50NZU主要�(yīng)用于開關(guān)電源(SMPS)、逆變�、DC-DC�(zhuǎn)換器、LED�(qū)動器、電�(jī)�(qū)動以及各種工�(yè)控制�(shè)備中�
由于其高耐壓和低�(dǎo)通電阻的特點,這款MOSFET特別適合用于需要高效率和高可靠性的電力電子系統(tǒng)�
同時,它也適用于太陽能逆變器和其他可再生能源轉(zhuǎn)換設(shè)�,以實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換和傳輸�
FDP057AN
IRF540N
STP55NF06L