時間：2025/5/22 0:09:54
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FDS8960C是一種N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管），廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換和開關(guān)性能的場景。該器件采用了先進(jìn)的制程技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻和快速開關(guān)特性，非常適合于開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開關(guān)以及其他功率管理應(yīng)用。
該MOSFET的主要特點是其優(yōu)化的電氣性能，能夠在高頻工作條件下保持高效的功率傳輸，并且具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性，從而能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高性能和高可靠性的要求。
型號：FDS8960C
類型：N溝道MOSFET
最大漏源電壓(V_DS)：60V
最大柵源電壓(V_GS)：±20V
連續(xù)漏極電流(I_D)：13A
導(dǎo)通電阻(R_DS(on))：4.5mΩ@V_GS=10V
總柵極電荷(Q_g)：17nC
輸入電容(C_iss)：890pF
輸出電容(C_oss)：140pF
反向傳輸電容(C_rss)：120pF
結(jié)溫范圍(T_j)：-55℃至+150℃
FDS8960C擁有卓越的性能特點，包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻(R_DS(on))，有助于減少功率損耗，提高系統(tǒng)效率。
2. 快速的開關(guān)速度，歸功于其較小的總柵極電荷(Q_g)，適用于高頻應(yīng)用。
3. 高額定電流能力，支持大功率負(fù)載。
4. 強(qiáng)大的熱性能，確保在高溫環(huán)境下仍能保持穩(wěn)定運行。
5. 小尺寸封裝選項，便于電路板布局設(shè)計。
6. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保無鉛設(shè)計。
FDS8960C通過結(jié)合上述特性，為工程師提供了高性價比的解決方案，適用于多種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用場景。
FDS8960C因其優(yōu)異的性能被廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)或同步整流元件。
2. DC-DC轉(zhuǎn)換器中的功率開關(guān)，用于提升效率和降低熱量。
3. 電池管理系統(tǒng)(BMS)中的負(fù)載開關(guān)，實現(xiàn)精確控制和保護(hù)功能。
4. 電機(jī)驅(qū)動電路中的功率級元件，支持高效電機(jī)控制。
5. 各類消費類電子產(chǎn)品中的功率管理模塊，例如筆記本電腦適配器、平板電腦充電器等。
6. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換和控制電路。
憑借其廣泛的適用性，F(xiàn)DS8960C成為許多功率應(yīng)用的理想選擇。
FDS8950, FDP5540, IRF840
