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FDS8949 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/29 2:07:21 查看 閱讀：11

FDS8949是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管），由Fairchild Semiconductor（現(xiàn)為ON Semiconductor）生產(chǎn)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝，具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和出色的電流處理能力，廣泛應(yīng)用于功率轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載切換以及其他需要高效功率管理的場(chǎng)合。
　　其封裝形式通常為SOT-23，這使得它非常適合于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)景。此外，F(xiàn)DS8949的設(shè)計(jì)還注重降低功耗和提高系統(tǒng)效率，使其成為便攜式設(shè)備和高性能電源管理的理想選擇。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　最大柵源電壓：±10V
　　連續(xù)漏極電流：670mA
　　導(dǎo)通電阻（Rds(on)）：1.5Ω（典型值，當(dāng)Vgs=4.5V時(shí)）
　　總功耗：420mW
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃至150℃

特性

FDS8949具有以下顯著特性：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），在特定條件下可顯著減少導(dǎo)通損耗，從而提高整體系統(tǒng)效率。
　　2. 高速開(kāi)關(guān)性能，支持高頻應(yīng)用，減少了開(kāi)關(guān)損耗。
　　3. 小型SOT-23封裝，節(jié)省電路板空間，適合緊湊型設(shè)計(jì)。
　　4. 具有良好的熱穩(wěn)定性和可靠性，能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常工作。
　　5. 內(nèi)部?jī)?yōu)化的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，降低了寄生電感和電容的影響，進(jìn)一步提升了開(kāi)關(guān)性能。

應(yīng)用

FDS8949適用于多種電子應(yīng)用領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 便攜式電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)和電池保護(hù)電路。
　　3. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和小型直流電機(jī)控制。
　　4. LED驅(qū)動(dòng)器和背光調(diào)節(jié)。
　　5. 各類消費(fèi)電子產(chǎn)品中的信號(hào)切換和功率管理。
　　由于其小尺寸和高效的性能，F(xiàn)DS8949特別適合用于對(duì)空間和能耗要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。

替代型號(hào)

AO3402A
　　SI2302DS
　　NTMS2210N
　　FDP5501

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fds8949參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品
  • 家庭FET - 陣列
  • 系列PowerTrench®
  • FET 型2 個(gè) N 溝道（雙）
  • FET 特點(diǎn)邏輯電平門(mén)
  • 漏極至源極電壓(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C6A
  • 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C29 毫歐 @ 6A，10V
  • Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）3V @ 250µA
  • 閘電荷(Qg) @ Vgs11nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds955pF @ 20V
  • 功率 - 最大900mW
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
  • 供應(yīng)商設(shè)備封裝8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS8949TR