FDS7766S-NL 時(shí)間：2025/5/22 0:07:07 閱讀：9

FDS7766S-NL 是一款 N 溝道增強(qiáng)型功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），適用于高效率的開(kāi)關(guān)應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝，具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度，適合用于直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及電池保護(hù)等電路中。
　　該 MOSFET 的封裝形式為 DPAK（TO-252），具有良好的散熱性能，同時(shí)其出色的電氣特性使其能夠在高頻條件下高效運(yùn)行。

參數(shù)

最大漏源電壓：60V
　　連續(xù)漏極電流：13A
　　導(dǎo)通電阻：18mΩ（典型值，在 Vgs=10V 時(shí)）
　　柵極電荷：29nC（典型值）
　　輸入電容：1440pF（典型值）
　　總功耗：24W
　　工作結(jié)溫范圍：-55℃ 至 +150℃

特性

FDS7766S-NL 提供了多種優(yōu)異的特性，使其成為許多高要求應(yīng)用的理想選擇。這些特性包括：
　　1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于降低傳導(dǎo)損耗并提高整體系統(tǒng)效率。
　　2. 快速的開(kāi)關(guān)速度和低柵極電荷，減少開(kāi)關(guān)損耗，特別適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用。
　　3. 較高的雪崩擊穿能力，增強(qiáng)了器件在異常條件下的可靠性。
　　4. 小巧的 DPAK 封裝，能夠有效地進(jìn)行熱管理。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足環(huán)保要求。

應(yīng)用

FDS7766S-NL 被廣泛應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域，主要包括：
　　1. 開(kāi)關(guān)電源（SMPS）中的同步整流器。
　　2. 直流-直流轉(zhuǎn)換器，如降壓或升壓轉(zhuǎn)換器。
　　3. 各種消費(fèi)類(lèi)電子設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)。
　　4. 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制電路。
　　5. 電池保護(hù)和管理系統(tǒng)。
　　6. 其他需要高效功率開(kāi)關(guān)的應(yīng)用場(chǎng)景。