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FDS7064N 發(fā)布時間 時間�2024/1/11 11:59:19 查看 閱讀�323

FDS7064N雙N溝道和P溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管是使用Fairchild Semiconductor的先�(jìn)PowerTrench?工藝生產(chǎn)�,該工藝�(jīng)過特別定�,以最大限度地降低�(dǎo)通電阻,同時保持�(yōu)異的開關(guān)性能。這些器件非常適合低電壓和電池供電的應(yīng)用需要快速切換�

參數(shù)

類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
  家庭:MOSFET,GaNFET - �
  系列:PowerTrench®
  FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
  FET 特點:邏輯電平門
  開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25℃:7.5 毫歐 @ 16A, 4.5V
  漏極至源極電�(Vdss)�30V
  電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25℃:16A
  Id 時的 Vgs(th)(最大)�2V @ 250µA
  閘電�(Qg) @ Vgs�48nC @ 4.5V
  � Vds 時的輸入電容(Ciss) �3355pF @ 15V
  功率 - 最大:3W
  安裝類型:表面貼�
  封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)�8-eSOIC. 8-HSOIC
  包裝:帶� (TR)
  其它名稱:FDS7064NTRFDS7064N_NLFDS7064N_NLTRFDS7064N_NLTR-ND

特�

Q1:N通道
  -最大rDS(開啟)=26 m? VGS=10 V,ID=6.4 A�
  -最大rDS(開啟)=39 m? VGS=4.5 V,ID=5.2 A�
  Q2:P通道
  -最大rDS(開啟)=51 m? VGS=-10 V,ID=-4.5 A�
  -最大rDS(開啟)=80 m? VGS=-4.5 V,ID=-3.3 A�
  -HBM ESD保護(hù)等級>3.5 kV(注3�
  符合RoHS

fds7064n推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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  • 封裝/批號
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fds7064n參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C16A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.5 毫歐 @ 16A�4.5V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)2V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs48nC @ 4.5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3355pF @ 15V
  • 功率 - 最�3W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm Width)裸露焊�
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOIC
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS7064NTRFDS7064N_NLFDS7064N_NLTRFDS7064N_NLTR-ND