FDS7064N雙N溝道和P溝道增強(qiáng)型功率場效應(yīng)晶體管是使用Fairchild Semiconductor的先�(jìn)PowerTrench?工藝生產(chǎn)�,該工藝�(jīng)過特別定�,以最大限度地降低�(dǎo)通電阻,同時保持�(yōu)異的開關(guān)性能。這些器件非常適合低電壓和電池供電的應(yīng)用需要快速切換�
類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)�
家庭:MOSFET,GaNFET - �
系列:PowerTrench®
FET 型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 特點:邏輯電平門
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25℃:7.5 毫歐 @ 16A, 4.5V
漏極至源極電�(Vdss)�30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25℃:16A
Id 時的 Vgs(th)(最大)�2V @ 250µA
閘電�(Qg) @ Vgs�48nC @ 4.5V
� Vds 時的輸入電容(Ciss) �3355pF @ 15V
功率 - 最大:3W
安裝類型:表面貼�
封裝/外殼�8-SOIC�3.9mm 寬)�8-eSOIC. 8-HSOIC
包裝:帶� (TR)
其它名稱:FDS7064NTRFDS7064N_NLFDS7064N_NLTRFDS7064N_NLTR-ND
Q1:N通道
-最大rDS(開啟)=26 m? VGS=10 V,ID=6.4 A�
-最大rDS(開啟)=39 m? VGS=4.5 V,ID=5.2 A�
Q2:P通道
-最大rDS(開啟)=51 m? VGS=-10 V,ID=-4.5 A�
-最大rDS(開啟)=80 m? VGS=-4.5 V,ID=-3.3 A�
-HBM ESD保護(hù)等級>3.5 kV(注3�
符合RoHS