FDS6900AS-NL是一款N溝道增強(qiáng)型MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管),由Fairchild Semiconductor(現(xiàn)為Onsemi安森美)生產(chǎn)。該器件采用先進(jìn)的制造工藝,具有較低的導(dǎo)通電阻和出色的開(kāi)關(guān)性能,適用于多種功率轉(zhuǎn)換和負(fù)載開(kāi)關(guān)應(yīng)用。FDS6900AS-NL的工作電壓范圍寬廣,能夠滿足高效率、低損耗的設(shè)計(jì)需求。
此MOSFET特別適合高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用,例如DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED照明和其他需要高效功率管理的場(chǎng)景。其封裝形式通常為SO8,這種表面貼裝封裝形式有助于提高散熱性能并簡(jiǎn)化PCB設(shè)計(jì)。
最大漏源電壓:40V
連續(xù)漏極電流:3.7A
導(dǎo)通電阻:25mΩ
柵極電荷:11nC
工作溫度范圍:-55℃至150℃
總功耗:800mW
FDS6900AS-NL具備以下關(guān)鍵特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),在典型條件下僅為25毫歐,從而減少傳導(dǎo)損耗并提升系統(tǒng)效率。
2. 較小的柵極電荷,確�?焖匍_(kāi)關(guān)速度,降低開(kāi)關(guān)損耗。
3. 工作溫度范圍廣泛,能夠在極端環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。
4. 高可靠性設(shè)計(jì),支持長(zhǎng)期使用。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)性要求。
6. SO8封裝,易于集成到緊湊型電路設(shè)計(jì)中。
FDS6900AS-NL適用于多種功率管理和控制場(chǎng)景,具體包括:
1. 開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)中的同步整流和降壓/升壓轉(zhuǎn)換。
2. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開(kāi)關(guān)功能。
3. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的背光驅(qū)動(dòng)和音頻放大器保護(hù)。
4. 電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)電路,例如小型直流電機(jī)或步進(jìn)電機(jī)。
5. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動(dòng)和調(diào)光控制。
6. 數(shù)據(jù)通信設(shè)備中的信號(hào)切換和電源管理。
總之,任何需要高效功率開(kāi)關(guān)的應(yīng)用都可以考慮使用FDS6900AS-NL。
FDS6901AS, FDS6902AS, FDS6903AS