FDS6680-NL是一種N溝道增強型功率MOSFET,采用先進的半導體工藝制�。該器件主要應用于需要高效能開關(guān)和低導通電阻的場景。其封裝形式為TO-252(DPAK),適合表面貼裝技�(shù)(SMT),具有良好的熱性能和電氣性能�
FDS6680-NL適用于廣泛的工業(yè)、消費電子及通信設備領域,能夠提供穩(wěn)定的電流輸出與快速的開關(guān)速度,同時保持較低的功耗�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�3.9A
導通電阻:40mΩ
柵極電荷�15nC
開關(guān)時間:典型�20ns
工作�(jié)溫范圍:-55℃至175�
FDS6680-NL采用了Fairchild(現(xiàn)為Onsemi)的先進功率MOSFET技�(shù),具備以下特點:
1. 極低的導通電阻Rds(on),在典型工作條件下可以顯著降低傳導損��
2. 高速開�(guān)能力,能夠支持高頻應�,如開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器等�
3. 較小的封裝體�,適合高密度電路板設計�
4. 良好的熱�(wěn)定�,能夠在較寬的溫度范圍內(nèi)正常工作�
5. �(yōu)異的電氣性能使其成為多種電力電子應用的理想選��
FDS6680-NL廣泛用于以下應用場景�
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的功率開關(guān)�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器中的同步整流或主開關(guān)�
3. 電機�(qū)動電路中的功率級開關(guān)�
4. 各種負載切換和保護電路�
5. 充電器和適配器中的功率管理部��
6. 消費類電子產(chǎn)品中的小型化功率模塊�
FDS6670NL, FDS6681NL