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FDS6679AZ 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 12:52:00 查看 閱讀�28

FDS6679AZ 是一� N 溝道增強型功� MOSFET,采� DPAK 封裝形式。該器件具有較低的導通電阻和較高的開關速度,適用于高頻功率�(zhuǎn)換應�。其設計�(yōu)化了功耗和散熱性能,使其成為工�(yè)、消費電子以及通信設備中的理想選擇�

參數(shù)

型號:FDS6679AZ
  封裝:DPAK (TO-252)
  最大漏源電� Vds�60V
  最大柵源電� Vgs:�20V
  連續(xù)漏極電流 Id�13A
  導通電� Rds(on)�25mΩ(典型值,Vgs=10V�
  總柵極電� Qg�48nC(典型值)
  輸入電容 Ciss�1050pF(典型值)
  工作溫度范圍�-55� � +150�

特�

FDS6679AZ 具有低導通電阻和低柵極電荷的特點,可顯著降低傳導損耗和開關損耗�
  它采用了先進的工藝技�,確保了出色的熱性能和電氣性能�
  此外,該器件還具有快速開關能�,支持高頻操�,并且具備良好的電磁兼容性表�(xiàn)�
  FDS6679AZ 的穩(wěn)健設計使其能夠承受雪崩和浪涌電流,從而提高了系統(tǒng)的可靠��
  其緊湊的 DPAK 封裝形式也便于安裝和集成到各種電路板��

應用

FDS6679AZ 廣泛應用于開關電�、DC-DC �(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動器以及其他需要高效功率管理的場合�
  它可以用于筆記本電腦適配�、平板電視電源模塊以� LED 照明系統(tǒng)�
  在工�(yè)領域,這款 MOSFET 適用于不間斷電源(UPS�、太陽能逆變器以及電動工具等�(chǎn)��
  由于其優(yōu)異的性能,F(xiàn)DS6679AZ 還能勝任汽車電子中的負載切換和電池管理任��

替代型號

FDS6678AZ, FDP5500, IRF540N

fds6679az推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fds6679az資料 更多>

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  • 描述
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fds6679az參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.3 毫歐 @ 13A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs96nC @ 10V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds3845pF @ 15V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS6679AZTR