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FDS6670A 發(fā)布時間 時間�2024/7/15 14:09:01 查看 閱讀�329

FDS6670A是一款N溝道MOSFET晶體�,主要用于電源管理和開關控制等領�。該晶體管具有低導通電�、高開關速度和低開啟電壓等優(yōu)良特�,能夠提高系�(tǒng)的效率和可靠性。FDS6670A還采用了先進的封裝技�,使其具有較高的熱穩(wěn)定性和防潮�,適用于各種�(huán)境和應用場合�
  FDS6670A的操作理論基于MOSFET晶體管的電學特�。MOSFET晶體管由溝道、柵極和漏極三個區(qū)域組�,通過對柵極電壓的控制來改變溝道電阻,從而實�(xiàn)開關控制。FDS6670A作為一種N溝道MOSFET晶體�,其溝道為N型半導體材料,柵極為金屬材料,漏極為N型半導體材料,并且漏極與源極之間有一反向偏置的PN結構,使其具有正常導通和截止兩種工作狀�(tài)�
  在正常導通狀�(tài)�,F(xiàn)DS6670A的柵極電壓高于溝道電壓,使得柵極與溝道之間的電場形成一個N型導電通道,電流可以從漏極流過溝道到源�,實�(xiàn)導通。在截止狀�(tài)�,F(xiàn)DS6670A的柵極電壓低于溝道電壓,使得溝道電阻變大,電流無法通過,實�(xiàn)截止�

基本結構

FDS6670A的基本結構由P型襯�、N+型源極、N型漏�、金屬化層和柵極組成。其中P型襯底作為基�,N+型源極和N型漏極被形成在P型襯底的表面�,金屬化層則用于連接源極和漏�,柵極則與襯底隔�,并通過柵極氧化層與襯底電絕��
  通過施加正向偏壓,P型襯底與N+型源極之間形成PN�,此時N型漏極與P型襯底之間則為正向電�。當向柵極施加正向電壓時,柵極與源極之間會形成電�,使得柵極下方的P型襯底區(qū)域形成N型溝�,從而形成源漏電流路�。當柵極電壓降低�,溝道被削弱,源漏電流也會減�,從而實�(xiàn)了對電流的控�。FDS6670A的封裝方式為SOT-23,尺寸為2.9mm×1.3mm×1.0mm,重量僅�0.02g�

參數(shù)

●額定電壓:60V
  ●額定電流:11A
  ●導通電阻:19mΩ
  ●開關時間:10ns
  ●耗散功率�2.5W

特點

1、低導通電�,高電流承載能力
  2、低開關損�,高開關速度
  3、良好的溫度�(wěn)定�
  4、良好的抗輻射性能

工作原理

FDS6670A是一種N溝道MOSFET晶體管,其工作原理與一般MOSFET晶體管相�。當控制信號施加在柵極上時,柵極和源極之間形成一個電�,使得溝道中的電子被吸引到柵�,從而降低溝道電阻,使得電流得以通過。當控制信號消失�,柵極與源極之間的電場消失,溝道中的電子重新分布,溝道電阻增�,電流停止流動�

應用

FDS6670A廣泛應用于電源管�、DC-DC轉換�、電機驅動器等領�。在電源管理�,F(xiàn)DS6670A可用于AC/DC轉換�、DC/DC轉換�、電池管理等電路�。在DC-DC轉換器中,F(xiàn)DS6670A可用于同步整�、半橋變換器、全橋變換器等電路中。在電機驅動器中,F(xiàn)DS6670A可用于直流電機驅動器、步進電機驅動器等電路中�

安裝

FDS6670A可采用表面貼裝技術進行安裝。在安裝�,應注意以下事項�
  1、確保焊盤和引腳的匹配��
  2、確保焊盤和引腳的質量和清潔��
  3、確保焊接溫度和時間的合適��
  4、確保電路板的阻焊層和鋼網的質量�
  5、確保電路板的安全性和可靠性�

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fds6670a參數(shù)

  • 產品培訓模塊High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch
  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體產品
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET N 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C13A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C8 毫歐 @ 13A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs30nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds2220pF @ 15V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS6670ATR