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FDS4685 發(fā)布時間 時間�2024/8/22 15:07:04 查看 閱讀�238

這種P溝道MOSFET是FairchildSemiconductor先進的PowerTrench工藝的堅固柵極版�。它已針對需要寬范圍柵極�(qū)動電壓額定值(4.5V�20V)的電源管理�(yīng)用進行了優(yōu)化�


技�(shù)參數(shù)

針腳�(shù)�
  漏源極電阻:0.022Ω
  耗散功率�1.2 W
  漏源極電�(Vds)�40 V
  上升時間�11 ns
  輸入電容(Ciss)�1872pF 20V(Vds)
  額定功率(Max)�1.2 W
  下降時間�18 ns
  工作溫度(Max)�150�
  工作溫度(Min)�-55�
  耗散功率(Max)�2500 mW

封裝參數(shù)

安裝方式:Surface Mount
  引腳�(shù)�
  封裝:SOIC-8

外形尺寸

長度�5 mm
  寬度�4 mm
  高度�1.5 mm
  封裝:SOIC-8

其他

�(chǎn)品生命周期:Active
  包裝方式:Tape&Reel(TR)
  制造應(yīng)用:電源管理,工業(yè)

fds4685推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fds4685資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

fds4685參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊High Voltage Switches for Power Processing
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝2,500
  • 類別分離式半�(dǎo)體產(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)40V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.2A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C27 毫歐 @ 8.2A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs27nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1872pF @ 20V
  • 功率 - 最�1.2W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS4685-NDFDS4685TR