這種P溝道MOSFET是FairchildSemiconductor先進的PowerTrench工藝的堅固柵極版�。它已針對需要寬范圍柵極�(qū)動電壓額定值(4.5V�20V)的電源管理�(yīng)用進行了優(yōu)化�
針腳�(shù)�
漏源極電阻:0.022Ω
耗散功率�1.2 W
漏源極電�(Vds)�40 V
上升時間�11 ns
輸入電容(Ciss)�1872pF 20V(Vds)
額定功率(Max)�1.2 W
下降時間�18 ns
工作溫度(Max)�150�
工作溫度(Min)�-55�
耗散功率(Max)�2500 mW
安裝方式:Surface Mount
引腳�(shù)�
封裝:SOIC-8
長度�5 mm
寬度�4 mm
高度�1.5 mm
封裝:SOIC-8
�(chǎn)品生命周期:Active
包裝方式:Tape&Reel(TR)
制造應(yīng)用:電源管理,工業(yè)