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FDS4435 發(fā)布時間 時間�2024/2/21 16:35:29 查看 閱讀�336

FDS4435是一款功率MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),由Fairchild公司生產(chǎn)。它是一款N溝道MOSFET,適用于低壓應用,主要用于電源管�、電池充電和斷電開關(guān)等領(lǐng)域�
FDS4435具有以下主要特點�
  1、低導通電阻:FDS4435的導通電阻非常低,這意味著它可以在低電壓下提供高電流。這使得它非常適合用于低壓應用�
  2、低開啟電壓:FDS4435的開啟電壓非常低,這意味著它可以在低電壓下迅速開啟。這對于需要快速開�(guān)的應用非常重��
  3、低漏電流:FDS4435的漏電流非常�,這意味著即使在關(guān)閉狀�(tài)�,它也能保持低功�。這對于需要長時間運行的電池應用非常有��
  4、內(nèi)置靜電保護:FDS4435具有�(nèi)置的靜電保護功能,可以防止靜電放電對器件造成損壞。這增加了器件的可靠性和�(wěn)定��
  5、小型封裝:FDS4435采用小型封裝,占�(jù)很小的空�。這對于有限空間的應用非常重要�
  總體而言,F(xiàn)DS4435是一款性能�(yōu)�、可靠性高的功率MOSFET。它廣泛應用于電源管理、電池充電和斷電開關(guān)等領(lǐng)�,能夠在低壓下提供高電流,同時具有低漏電流和�(nèi)置靜電保護等�(yōu)點�

參數(shù)指標

額定電壓(Vds):30V
  額定電流(Id):12A
  阻態(tài)導通電阻(Rds(on)):8.5mΩ
  級間電容(Ciss):1000pF
  級間電壓(Vgs):±20V
  溫度范圍�-55℃~150�
  封裝類型:SOT-23

組成�(jié)�(gòu)

FDS4435由N溝道MOSFET和P溝道MOSFET組成。N溝道MOSFET負責控制電流,P溝道MOSFET負責控制電壓�

工作原理

FDS4435在導通狀�(tài)�,當輸入電壓Vgs大于閾值電壓,N溝道MOSFET導�,電流從源極(Source)流向漏極(Drain),形成導通通路。當Vgs小于閾值電壓時,MOSFET截止,電流無法通過�

技�(shù)要點

低導通電阻(Rds(on)):FDS4435具有較低的導通電�,可以提供較低的功耗和較高的效率�
  快速開�(guān)速度:FDS4435具有快速的開關(guān)速度,可以實�(xiàn)高頻率的開關(guān)操作�
  高溫工作能力:FDS4435能夠在廣泛的溫度范圍�(nèi)正常工作,適用于高溫�(huán)境下的應��

�(shè)計流�

�(shè)計FDS4435的電路時,需要考慮輸入電壓、電流、溫度等參數(shù),并根據(jù)需要選擇合適的�(qū)動電路和散熱�(shè)�,以確保�(wěn)定可靠的工作�

常見故障及預防措�

FDS4435是一款功率MOSFET常見的故障及預防措施如下�
  1、過熱:過熱可能是由于過大的電流或者功率導致的。為了防止過�,可以采取以下預防措施:
  確保MOSFET的散熱器和散熱風扇正常工�,使其保持較低的工作溫度�
  在設(shè)計和應用中要合理選擇MOSFET的額定電流和功率�
  可以考慮使用輔助散熱措施,如導熱膠或散熱��
  2、過電壓:過電壓可能會使MOSFET損壞。為了防止過電壓,可以采取以下預防措施:
  在設(shè)計和應用中要合理選擇MOSFET的額定電�,確保其能夠承受電路中的最大電��
  可以使用電壓�(wěn)壓器或者電壓保護電�,以保證MOSFET工作在安全的電壓范圍�(nèi)�
  3、過電流:過大的電流可能會使MOSFET損壞。為了防止過電流,可以采取以下預防措施:
  在設(shè)計和應用中要合理選擇MOSFET的額定電�,確保其能夠承受電路中的最大電��
  可以使用電流限制電路或電流保護電�,以保護MOSFET不會超過其額定電��
  4、靜電放電:靜電放電可能會損壞MOSFET。為了防止靜電放�,可以采取以下預防措施:
  在操作和維護MOSFET�,要使用防靜電手套或者其他防靜電�(shè)備,避免直接接觸MOSFET�
  在存儲和運輸MOSFET�,要使用防靜電包裝材�,避免靜電放電�
  5、過載:過載可能會使MOSFET損壞。為了防止過�,可以采取以下預防措施:
  在設(shè)計和應用中要合理選擇MOSFET的額定功�,確保其能夠承受電路中的最大功率�
  可以使用過載保護電路,以保護MOSFET不會超過其額定功率�
  總之,為了預防FDS4435 MOSFET的常見故障,需要合理選擇其額定電流、電壓和功率,并采取相應的散�、電流限制、電壓保護等措施。此�,還要注意防止靜電放電和過載等情況的�(fā)��

fds4435推薦供應� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

fds4435資料 更多>

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  • FDS4435
  • P-Channel Logic Level PowerTrenchTM ...
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fds4435參數(shù)

  • 標準包裝2,500
  • 類別分離式半導體�(chǎn)�
  • 家庭FET - �
  • 系列PowerTrench®
  • FET �MOSFET P 通道,金屬氧化物
  • FET 特點邏輯電平門
  • 漏極至源極電�(Vdss)30V
  • 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C8.8A
  • 開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C20 毫歐 @ 8.8A�10V
  • Id 時的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 閘電�(Qg) @ Vgs24nC @ 5V
  • 輸入電容 (Ciss) @ Vds1604pF @ 15V
  • 功率 - 最�1W
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應商設(shè)備封�8-SOICN
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 其它名稱FDS4435TR